1樓：lin夕子
上述提到的器件
都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種，可分為單極器件和雙極器件。
其中屬於雙極器件的有：scr、gto、gtr以及igbt；單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器，也叫閘流體，主要用在類似於二極體的領域，其與二極體不同的是，正向工作時，可通過門極電流來觸發導通。
而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通，但其關斷不能通過門極關斷，而是將電流減小至某個值以下，或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor， 為門極可關斷閘流體，即可以通過控制門極關斷閘流體。
gtr應該是giant transistor，為巨型電晶體，導通工作時要求發射結集電結均正偏，與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流，高壓，低頻場合。
而功率mosfet由於是單極型器件，電流處理能力相對較弱，但由於其在開關過程中，沒有載流子儲存的建立與抽取，其頻率特性好，用於高頻低壓領域。
而igbt，為insulated gate bipolar transistor，是絕緣柵雙極場效電晶體，為電壓控制電流，柵控器件，其工作頻率比普通的雙極器件高，電流處理能力比mosfet要強，一般用於中高頻中高壓領域。
請問igbt、gto、gtr與mosfet的驅動電路有什麼特點
2樓：匿名使用者
igbt驅動電路的特點
來是：源驅動電路具有較小的輸出電阻，igbt是電壓驅動型器件，igbt的驅動多采用專用的混合整合驅動器。
gtr驅動電路的特點是：驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿，並有一定的過沖，這樣可加速開通過程，減小開通損耗；關斷時，驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流，並加反偏截止電壓，以加速關斷速度。
gto驅動電路的特點是：gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個導通期間施加正門極電流，關斷需施加負門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅動電路通常包括開通驅動電路，關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。
電力mosfet驅動電路的特點：要求驅動電路具有較小的輸入電阻，驅動功率小且電路簡單。
電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請儘量稍微的詳細點
3樓：理科女
gto(門級可關斷閘流體)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具專有電導調製效應，其屬通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
gtr（電力電晶體）耐高壓，電流大開關特性好mosfet（電力場效應電晶體）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於gtr但是電流容量小
igbt(絕緣柵雙極電晶體)它綜合了gtr和mosfet的優點，具有電導調製效應，其通流能力很強，但是開關速度較慢，所需驅動功率大，驅動電路複雜。
望採納~~
4樓：匿名使用者
igbt 開關速bai度高，開關損耗du小，具有耐脈衝電流衝擊的能zhi力，通態壓降較低，輸dao入阻抗高，為電版壓驅動，驅動功率小 開關權速度低於電力mosfet,電壓，電流容量不及gto
gtr 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題
gto 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
mosfet 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置
電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請儘量稍微的詳細點
5樓：匿名使用者
gto既保留了普通閘流體耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理回
想的高壓答、大電流開關器件。gto的容量及使用壽命均超過gtr，只是工作頻率比gtr低。目前，gto已達到3000a、4500v的容量。
大功率可關斷閘流體已廣泛用於斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。
單管gtr飽和壓降vces低，開關速度稍快，但是電流增益β小，電流容量小，驅動功率大，用於較小容量的逆變電路。
mosfet優點：熱穩定性好、安全工作區大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
igbt是mosfet和gtr（功率晶管）相結合的產物。特點：擊穿電壓可達1200v，集電極最大飽和電流已超過1500a。
由igbt作為逆變器件的變頻器的容量達250kva以上，工作頻率可達20khz。
6樓：匿名使用者
gto具有自關斷能bai力，但所需驅動電流du和驅動功率較
zhi大。
gtr具有自dao關斷能力，除所需驅動電流和驅專動功率較大屬外，工作電壓和電流與其它器件相比較低。有二次擊穿現象。
mosfet開關速度快，驅動功率小，但工作電壓低，尤其是柵極控制電壓一般不超過20v。
igbt具有gtr和mosfet的優點，工作電壓高，工作電流大，驅動功率小，開關速度快（可達20khz）。但柵極控制電壓一般也在20v以下。
7樓：cc簡
建議找本書系統的看看，很多方面不同，各有優缺點
8樓：
可以不過給我分哦先給
gto、gtr、mosfet和igbt四種電晶體有何優點和缺點？
9樓：匿名使用者
igbt 開關速度高，開關損耗小，具有耐脈衝電流衝擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電專壓驅
屬動，驅動功率小 開關速度低於電力mosfet,電壓，電流容量不及gto
gtr 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題
gto 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
mosfet 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置
電力電子技術問題 scr gto gtr igbt mosfet 對觸發脈衝要求的異同點
10樓：赫新蘭皋鸞
都是通來過
pulse
generator
產生驅動信源號，可以設定相應的佔空比，如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝，為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v，如果設定觸發延遲角α為45度，只需將相位延遲引數設定為2.5ms，可以根據需要自己設定觸發角，不同的電路可能還要設定相應的死區時間，即要留有一定裕度，防止誤導通。
11樓：東郭芙單胭
做實驗bai
，不炸幾個不長記性
du1）注意防靜電，zhi尤其是mos
2）gto，igbt，gtr這些高壓大電流的dao，注意別弄死自己版3）
有條件可以加
權些保護監控電路，殼溫監測、過流監測等，情況不好直接斷電，保證實驗室中電路保險合格，發生異常可以自動跳閘等等
其他至於炸不炸的，原因很多，驅動，散熱等等，不用太擔心炸的聲音還沒個屁響
電力電子技術問題 scr gto gtr igbt mosfet 對觸發脈衝要求的異同點
12樓：中華之星
都是通過
制 pulse generator 產生驅動訊號，可以設定相應的佔空比，如scr就可以設定脈衝週期
為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝，為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v，如果設定觸發延遲角α為45度，只需將相位延遲引數設定為2.5ms，可以根據需要自己設定觸發角，不同的電路可能還要設定相應的死區時間，即要留有一定裕度，防止誤導通。
scr、gto、gtr、mosfet、igbt驅動波形
13樓：小ty呀
驅動最好是理想的方波！
所以你的波形越接近方波越好！
scr，gto，mosfet，gtr，igbt對觸發脈衝的異同點 250
14樓：
都是通過 pulse generator 產生驅動訊號，可以設定相應的佔空比，如scr就可以設定脈衝週期為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝，為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v，如果設定觸發延遲角α為45度，只需將相位延遲引數設定為2.5ms，可以根據需要自己設定觸發角，不同的電路可能還要設定相應的死區時間，即要留有一定裕度，防止誤導通。
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