1樓：
mos管如果
抄g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為保護mos的寄生電感,在電源瞬間上電時候?該如何理解呢 20
2樓：
mos管如果g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
3樓：匿名使用者
是為了放電，因為mos管內部類似於一個電容，如果dout沒有下拉功能，mos導通後就會一直處於導通狀態，這裡並聯一個電容後，當dout變成低電位時，可以把mos管結電容的電放掉！如果訊號有下拉功能，可以取消此電阻！
4樓：只是寂寞微染
源極與柵極之間電阻很大，他們之間會有一定的電容量（二極體也有叫pn節電容，所以高頻訊號時要考慮到pn節電容），
並上電阻之後，當訊號由大電壓變小時他們之間通過電阻放電，當訊號電壓由小到大變時就不會與極間電容的電壓疊加（因為極間電容的電已經通過電阻放掉了），訊號電壓就不足於擊穿，起到保護作用
5樓：匿名使用者
你這個問題我幫你在大位元電子變壓器論壇發過帖子了，就等待那邊的高手提供更詳細的解答。
如果有回答，第一時間通知你，你可以留個郵箱。如果問題比較急，你可以登入論壇然後搜尋你的標題看別人的回答也行。
為什麼nmos管在開關電路中要在柵極和源極之間串哥電阻,這是為什麼呢? 20
6樓：匿名使用者
有圖嗎？一般是用來分壓，也就是給柵極與原極提供一個電壓差。使mos管打通
7樓：匿名使用者
1.洩放柵源電荷。
2.不是必須的
3.我也問一個問題：什麼叫串？或者你怎麼能把電阻串到柵源兩極。
8樓：訾智饒媚
下拉電阻對電路有影響：
1、負偏壓，減少靜電、外電場干擾誤動作。
2、衰減訊號，關斷後，可以洩放柵極儲存的電荷。
3、輸入阻抗原來認為是無限大的，現輸入阻抗=下拉電阻。
請問： 柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什麼作用？
9樓：空
第一個作用好理解，這裡解釋一下第二個作用的原理——保護柵極g-源極s：場效電晶體的g-s極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的g-s極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效電晶體產生誤動作，甚至有可能擊穿其g-s極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效電晶體的作用。
與mos管柵極並聯的電阻穩壓管起什麼作用
10樓：霸王漫步
因為mos管柵極與漏極和源極之間的絕緣電阻很高，絕緣層很薄，柵極很容易積累電荷把絕緣層擊穿而損壞mos管，在使用過程中如果有較高電壓加到柵極也要擊穿絕緣層而損壞mos管，所以要在mos管柵極並聯穩壓管以限制柵極電壓在穩壓管穩壓值以下，保護mos管柵極不被擊穿。mos管柵極並聯的電阻是為了釋放柵極電荷，不讓電荷積累。總之與mos管柵極並聯的電阻穩壓管起保護mos管柵極的作用。
11樓：匿名使用者
那個一般都用開關二極體1n4148吧，主要是用來洩流，起迅速關斷mos的作用。
12樓：匿名使用者
不知道這個穩壓管的具體位置，如果是接在mos管的柵極和源極的話，應該是起保護作用，使其柵源電壓不超過保護電壓值（一般是不超過20v).
場效電晶體柵極與源極上加電阻是起到什麼作用?還有柵極上的電阻加10歐母可一吧?
13樓：匿名使用者
場效電晶體柵極與源極間的電阻起到保護場效電晶體不被靜電擊穿的作用，取值10k。柵極串聯電阻決定場效電晶體的開通速度，取10~47歐。
開關電源的mos管的g極電阻有什麼用？
14樓：匿名使用者
這個電阻影響g極電流，即其大小影響mos管開關速度。同時，此電阻阻值也與mos管振鈴現象有關。
再具體的，你可以查下mos管驅動電路的資料
15樓：匿名使用者
當 g 的控制電壓為高電平時 d-s 導通
當 g 的控制電壓為低電平時 通過g極電阻 快速 洩放結電容上的電荷使 d-s 快速截止
16樓：匿名使用者
緩慢洩放耦合電容上的電荷
17樓：匿名使用者
減緩mos管的開通速度，降低emi干預。
MOS管做開關電路時，D極和S極可以互換嗎？就是說例如N MOS，S極電源或者D極接電源都是可以的
理論上講是可以的。但是有些場效電晶體內部在ds間反向並聯了一個續流二極體，就不行了。功率型的mos管一般都帶有一個寄生二極體，如果漏極和源極互換的話，那個寄生二極體會將mos管短路。不可以，因為mos管是單向的，除非你選擇可控矽，代替mos管 向大家請教個很弱智的問題！mos管d極跟s極有方向嗎，可...
二極體正向和反向並聯在三極體的C。E極分別是起什麼作用的
使npn三極體的ce負電壓鉗位在1v以下，從而避免npn三極體的ce之間由於過大的反壓而損壞。正向並聯在三極體的be極起正向偏置的作用，反向並聯在三極體的bc極起保護作用 誰知道三極體的ec極並聯一個二極體有什麼作用？我理解為過壓保護 ec過壓保護，ce可以穩壓 也可以理解為ce單通 具體作用可查閱...
PNP三極體的圖形符號是什麼三極體在電路中的符號和實際中的符號分別是什麼？
如下圖 pnp型三極體，是由2塊p型半導體中間夾著1塊n型半導體所組成的三極體，所以稱為pnp型三極體。也可以描述成，電流從發射極e流入的三極體。pnp型三極體發射極電位最高,集電極電位最低,ube 0.三極體按結構分,可分為npn型三極體和pnp型三極體.答 這個和晶體三極體的工作狀況沒有任何關係...