1樓：熱心網友
防止激勵電流過大，擊穿gs極，1m為洩流電阻，因為mos管輸入阻抗極高，輸入電壓會積累在g極，它它將一直導通，訊號將無法控制他，自己也會發熱損壞
2樓：愚蕭戚海
屬於緩衝吸收電路，用於吸收開關電源關時產生的高壓尖峰，降低vds，保護開關晶片不被擊穿。通常設計為rcd方式，電容與電阻並聯然後串聯一個二極體。
與mos管柵極並聯的電阻穩壓管起什麼作用
3樓：霸王漫步
因為mos管柵極與漏極和源極之間的絕緣電阻很高，絕緣層很薄，柵極很容易積累電荷把絕緣層擊穿而損壞mos管，在使用過程中如果有較高電壓加到柵極也要擊穿絕緣層而損壞mos管，所以要在mos管柵極並聯穩壓管以限制柵極電壓在穩壓管穩壓值以下，保護mos管柵極不被擊穿。mos管柵極並聯的電阻是為了釋放柵極電荷，不讓電荷積累。總之與mos管柵極並聯的電阻穩壓管起保護mos管柵極的作用。
4樓：匿名使用者
那個一般都用開關二極體1n4148吧，主要是用來洩流，起迅速關斷mos的作用。
5樓：匿名使用者
不知道這個穩壓管的具體位置，如果是接在mos管的柵極和源極的話，應該是起保護作用，使其柵源電壓不超過保護電壓值（一般是不超過20v).
一電阻和一電容串聯後，並聯在mos管的漏極與源極之間，請問作用是什麼?_?希望講解詳細點。 20
6樓：
mos工作於開關狀態，關斷時初級繞組會產生非常高的反峰，用過這個設計把反峰拉下來，防止mos擊穿。
在mos管的源極和柵極之間並一個電阻,是為保護mos的寄生電感,在電源瞬間上電時候?該如何理解呢 20
7樓：
mos管如果g端懸空的話，會使mos管導通，造成mos管因電流過大而燒燬，加電阻的作用是拉地電阻，起到限流的作用，防止其懸空導通燒燬！
mos管是一個esd敏感元件，本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以很容易受外界或者靜電影響而帶電，容易引起靜電擊穿。
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的ugs電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的ugs瞬態電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間並接阻尼電阻或並接穩壓值約20v的穩壓管，特別要注意防止柵極開路工作。
8樓：匿名使用者
是為了放電，因為mos管內部類似於一個電容，如果dout沒有下拉功能，mos導通後就會一直處於導通狀態，這裡並聯一個電容後，當dout變成低電位時，可以把mos管結電容的電放掉！如果訊號有下拉功能，可以取消此電阻！
9樓：只是寂寞微染
源極與柵極之間電阻很大，他們之間會有一定的電容量（二極體也有叫pn節電容，所以高頻訊號時要考慮到pn節電容），
並上電阻之後，當訊號由大電壓變小時他們之間通過電阻放電，當訊號電壓由小到大變時就不會與極間電容的電壓疊加（因為極間電容的電已經通過電阻放掉了），訊號電壓就不足於擊穿，起到保護作用
10樓：匿名使用者
你這個問題我幫你在大位元電子變壓器論壇發過帖子了，就等待那邊的高手提供更詳細的解答。
如果有回答，第一時間通知你，你可以留個郵箱。如果問題比較急，你可以登入論壇然後搜尋你的標題看別人的回答也行。
mos管g極串接二極體作用？
11樓：匿名使用者
功率稍大的mos管，g極和s極間存在一個20p左右的結電容。由於mos管是電壓控制元件，此電容的存在必然會對mos管的高頻特性有很大的影響。加入二極體d2可以在脈衝驅動訊號的下降沿為g-s結電容提供一個洩壓通道，改善了mos管的高頻特性，能使高頻方波脈衝訊號的下降沿保持陡峭的波形。
12樓：閃亮登場
mos管本身自帶有寄生二極體，作用是防止vdd過壓的情況下，燒壞mos管，因為在過壓對mos管造成破壞之前，二極體先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免mos管被燒壞。要考慮二極體的單向導通性，主要是其保護作用，g,s間的寄生電容較小，通常在幾pf到10幾pf左右。考慮到u=q/c,故很容易在柵極上形成極高的esd電壓，所以通常會在g-s之間加上tvs，防止g-s擊穿。
13樓：__海岸線美得
小於分子是37小於分子是37小於分子是37小於分子是37
開關電源的mos管的g極電阻有什麼用？
14樓：匿名使用者
這個電阻影響g極電流，即其大小影響mos管開關速度。同時，此電阻阻值也與mos管振鈴現象有關。
再具體的，你可以查下mos管驅動電路的資料
15樓：匿名使用者
當 g 的控制電壓為高電平時 d-s 導通
當 g 的控制電壓為低電平時 通過g極電阻 快速 洩放結電容上的電荷使 d-s 快速截止
16樓：匿名使用者
緩慢洩放耦合電容上的電荷
17樓：匿名使用者
減緩mos管的開通速度，降低emi干預。
開關電源mos漏極加電阻作用
18樓：匿名使用者
在開關電源中，通常的設計會在mos管的漏極或者igbt的c如你所說的加電阻並二極體（應該還要串一電容）至電源的正極。此電路是緩衝電路，吸收電路尖峰，避免開關過程中產生的高壓尖峰擊穿開關管導致損壞。在不同的開關電源中的接法也略有不同，如單端反激式的就如你所說是從漏極接到電源正，而在全橋移相電路里上半橋本身就是接電源正極的，所以上半橋是電源正極加電阻反串二極體接到橋點即上管的源極，而下半橋是漏極加反向二極體串電阻接至電源的負極，同時還有電容連線。
同時利用電容的能量來達到導通瞬間和判斷瞬間能量的釋放和吸收，減少對開關管的衝擊。
19樓：匿名使用者
屬於緩衝吸收電路，用於吸收開關電源關時產生的高壓尖峰，降低vds，保護開關晶片不被擊穿。通常設計為rcd方式，電容與電阻並聯然後串聯一個二極體。
20樓：匿名使用者
具體電路具體分析，一般漏極在電阻是為了取得一個電壓訊號反饋控制mos管的導通狀態 來達到調節電壓的作用
21樓：匿名使用者
你確定是漏極接的電阻嗎？移相全橋的四個管子都加了？我不相信有人做zvs會用這種接法，上個圖看看。
22樓：甄倩璩斯年
電流取樣的作用。通過u＝ir可得知，當電流值升高時，因電阻值不變，所以相應的電阻兩端的電壓也就會升高，升高的幅度大小會通過一個電阻，一般的為1千歐左右反饋回控制電路，比如是晶片的c/s腳，在低於或高於晶片某個設定值，通過變化範圍來與另外的取樣訊號一同做調控佔空比或mos管開關頻率,以達到整個電源系統安全和正常執行。所以，一般的電源中電阻值的變化會引起整個電源系統引數值的變化。
nmos管使用時候,在柵極和源極加100k電阻保護mos管,那麼pmos管使用的時候,是否需要加電阻呢？如下圖 20
23樓：安全護航
我已經被你問的所有問題搞糊塗了，這這題而言，q2的源是vdd128，q3的發射極是gnd128，兩者不同，所以，r6是要接的。
建議你在一個問題裡追問就行了。
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