三極體的引數是哪些,三極體的主要引數有哪些

2021-05-05 06:59:37 字數 3637 閱讀 6124

1樓:匿名使用者

1、直流引數

(1)集電極一基極反向飽和電流icbo,發射極開路(ie=0)時,基極和集電極之間加上規定的反向電壓vcb時的集電極反向電流,它只與溫度有關,在一定溫度下是個常數,所以稱為集電極一基極的反向飽和電流.良好的三極體,icbo很小,小功率鍺管的icbo約為1~10微安,大功率鍺管的icbo可達數毫安,而矽管的icbo則非常小,是毫微安級.

(2)集電極一發射極反向電流iceo(穿透電流)基極開路(ib=0)時,集電極和發射極之間加上規定反向電壓vce時的集電極電流.iceo大約是icbo的β倍即iceo=(1+β)icbo o icbo和iceo受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩定性的重要引數,其值越小,效能越穩定,小功率鍺管的iceo比矽管大.

(3)發射極---基極反向電流iebo 集電極開路時,在發射極與基極之間加上規定的反向電壓時發射極的電流,它實際上是發射結的反向飽和電流.

(4)直流電流放大係數β1(或hef) 這是指共發射接法,沒有交流訊號輸入時,集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即:

β1=ic/ib

2、交流引數

(1)交流電流放大係數β(或hfe) 這是指共發射極接法,集電極輸出電流的變化量△ic與基極輸入電流的變化量△ib之比,即:

β= △ic/△ib

一般電晶體的β大約在10-200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但效能往往不穩定.

(2)共基極交流放大係數α(或hfb) 這是指共基接法時,集電極輸出電流的變化是△ic與發射極電流的變化量△ie之比,即:

α=△ic/△ie

因為△ic<△ie,故α<1.高頻三極體的α>0.90就可以使用

α與β之間的關係:

α= β/(1+β)

β= α/(1-α)≈1/(1-α)

(3)截止頻率fβ、fα 當β下降到低頻時0.707倍的頻率,就是共發射極的截止頻率fβ;當α下降到低頻時的0.707倍的頻率,就是共基極的截止頻率fαo fβ、fα是表明管子頻率特性的重要引數,它們之間的關係為:

fβ≈(1-α)fα

(4)特徵頻率ft因為頻率f上升時,β就下降,當β下降到1時,對應的ft是全面地反映電晶體的高頻放大效能的重要引數.

3、極限引數

(1)集電極最大允許電流icm 當集電極電流ic增加到某一數值,引起β值下降到額定值的2/3或1/2,這時的ic值稱為icm.所以當ic超過icm時,雖然不致使管子損壞,但β值顯著下降,影響放大質量.

(2)集電極----基極擊穿電壓bvcbo 當發射極開路時,集電結的反向擊穿電壓稱為bvebo.

(3)發射極-----基極反向擊穿電壓bvebo 當集電極開路時,發射結的反向擊穿電壓稱為bvebo.

(4)集電極-----發射極擊穿電壓bvceo 當基極開路時,加在集電極和發射極之間的最大允許電壓,使用時如果vce>bvceo,管子就會被擊穿.

(5)集電極最大允許耗散功率pcm 集電流過ic,溫度要升高,管子因受熱而引起引數的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率稱為pcm.管子實際的耗散功率於集電極直流電壓和電流的乘積,即pc=uce×ic.使用時慶使pc

pcm與散熱條件有關,增加散熱片可提高pcm.

三極體的主要引數有哪些

2樓:匿名使用者

1、共射電流放大係數 和β

在共射極放大電路中,若交流輸入訊號為零,則管子各極間的電壓和電流都是直流量,此時的集電極電流ic和基極電流ib的比就是 , 稱為共射直流電流放大係數。

當共射極放大電路有交流訊號輸入時,因交流訊號的作用,必然會引起ib的變化,相應的也會引起ic的變化,兩電流變化量的比稱為共射交流電流放大係數β,即

(5-6)

上述兩個電流放大係數 和β的含義雖然不同,但工作在輸出特性曲線放大區平坦部分的三極體,兩者的差異極小,可做近似相等處理,故在今後應用時,通常不加區分,直接互相替代使用。

由於製造工藝的分散性,同一型號三極體的β值差異較大。常用的小功率三極體,β值一般為20~100。β過小,管子的電流放大作用小,β過大,管子工作的穩定性差,一般選用β在40~80之間的管子較為合適。

2、極間反向飽和電流icbo和iceo

(1)集電結反向飽和電流icbo是指發射極開路,集電結加反向電壓時測得的集電極電流。常溫下,矽管的icbo在na(10-9)的量級,通常可忽略。

(2)集電極-發射極反向電流iceo是指基極開路時,集電極與發射極之間的反向電流,即穿透電流,穿透電流的大小受溫度的影響較大,穿透電流小的管子熱穩定性好。

3、極限引數

(1)集電極最大允許電流icm

電晶體的集電極電流ic在相當大的範圍內β值基本保持不變,但當ic的數值大到一定程度時,電流放大係數β值將下降。使β明顯減少的ic即為icm。為了使三極體在放大電路中能正常工作,ic不應超過icm。

(2)集電極最大允許功耗pcm

電晶體工作時、集電極電流在集電結上將產生熱量,產生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗pcm,即

pcm=icuce (5-7)

功耗與三極體的結溫有關,結溫又與環境溫度、管子是否有散熱器等條件相關。根據5-7式可在輸出特性曲線上作出三極體的允許功耗線,如圖5-8所示。功耗線的左下方為安全工作區,右上方為過損耗區。

手冊上給出的pcm值是在常溫下25℃時測得的。矽管集電結的上限溫度為150℃左右,鍺管為70℃左右,使用時應注意不要超過此值,否則管子將損壞。

(3)反向擊穿電壓ubr(ceo)

反向擊穿電壓ubr(ceo)是指基極開路時,加在集電極與發射極之間的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓uce>ubr(ceo),集電極電流ic將急劇增大,這種現象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極體永久性的損壞。

三極體電路在電源ec的值選得過大時,有可能會出現,當管子截止時,uce>ubr(ceo)導致三極體擊穿而損壞的現象。一般情況下,三極體電路的電源電壓ec應小於1/2 ubr(ceo)。

4、溫度對三極體引數的影響

幾乎所有的三極體引數都與溫度有關,因此不容忽視。溫度對下列的三個引數影響最大。

(1)對β的影響:

三極體的β隨溫度的升高將增大,溫度每上升l℃,β值約增大0.5~1%,其結果是在相同的ib情況下,集電極電流ic隨溫度上升而增大。

(2)對反向飽和電流iceo的影響:

iceo是由少數載流子漂移運動形成的,它與環境溫度關係很大,iceo隨溫度上升會急劇增加。溫度上升10℃,iceo將增加一倍。由於矽管的iceo很小,所以,溫度對矽管iceo的影響不大。

(3)對發射結電壓ube的影響:

和二極體的正向特性一樣,溫度上升1℃,ube將下降2~2.5mv。

綜上所述,隨著溫度的上升,β值將增大,ic也將增大,uce將下降,這對三極體放大作用不利,使用中應採取相應的措施克服溫度的影響。

3樓:

要設計這個電路還是有難度的。自己做出來,收穫才大。

4樓:匿名使用者

220v/18v(雙18v的,或36v帶中心抽頭的變壓器), 50w變壓器一臺;in5408二極體6只,或rl604 kbp604 kbpc1010d 橋堆1個;50v 3300或4700 微法電容2個,25v 100微法2個102 103 104任意一容量的瓷片電容4個;lm7815和lm7915的三穩各一個;加儘量大的散熱片2片,如果安裝在一起就要做好絕緣,也可以選用塑封的三穩。電路圖在電子技術教材,都能找到。

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