1樓：日久生情
1.雙極結型電晶體
雙極結型電晶體(bipolar junction transistor—bjt)又稱為半導體三極體，它是通過一定的工藝將兩個pn結結合在一起的器件，有pnp和npn兩種組合結構;外部引出三個極：集電極，發射極和基極，集電極從集電區引出，發射極從發射區引出，基極從基區引出(基區在中間);bjt有放大作用，重要依靠它的發射極電流能夠通過基區傳輸到達集電區而實現的，為了保證這一傳輸過程，一方面要滿足內部條件，即要求發射區雜質濃度要遠大於基區雜質濃度，同時基區厚度要很小，另一方面要滿足外部條件，即發射結要正向偏置(加正向電壓)、集電結要反偏置;bjt種類很多，按照頻率分，有高頻管，低頻管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半導體材料分，有矽管和鍺管等;其構成的放大電路形式有：共發射極、共基極和共集電極放大電路。
2場效應電晶體
場效應電晶體(field effect transistor)利用場效應原理工作的電晶體。英文簡稱fet。場效應就是改變外加垂直於半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層(溝道)中多數載流子的密度或型別。
它是由電壓調製溝道中的電流，其工作電流是由半導體中的多數載流子輸運。這類只有一種極性載流子參加導電的電晶體又稱單極型電晶體。與雙極型電晶體相比，場效應電晶體具有輸入阻抗高、噪聲小、極限頻率高、功耗小，製造工藝簡單、溫度特性好等特點，廣泛應用於各種放大電路、數位電路和微波電路等。
以矽材料為基礎的金屬氧化物半導體場效電晶體(mosfet)和以砷化鎵材料為基礎的肖特基勢壘柵場效電晶體(mesfet)是兩種最重要的場效應電晶體，分別為mos大規模積體電路和mes超高速積體電路的基礎器件。
3絕緣柵雙極電晶體
絕緣柵雙極電晶體(insulate-gate bipolar transistor—igbt)綜合了電力電晶體(giant transistor—gtr)和電力場效應電晶體(power mosfet)的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛;igbt也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
igbt是mos結構雙極器件，屬於具有功率mosfet的高速效能與雙極的低電阻效能的功率器件。igbt的應用範圍一般都在耐壓600v以上、電流10a以上、頻率為1khz以上的區域。多使用在工業用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照相機的頻閃觀測器、感應加熱(inductionheating)電飯鍋等領域。
根據封裝的不同，igbt大致分為兩種型別，一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型，從to-3p到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把igbt與fwd (fleewheeldiode)成對地(2或6組)封裝起來的模組型，主要應用在工業上。模組的型別根據用途的不同，分為多種形狀及封裝方式，都已形成系列化。
4靜電感應電晶體
靜電感應電晶體sit(static induction transistor)誕生於2023年，實際上是一種結型場效應電晶體。它具有輸入阻抗高、輸出功率大、開關特性好、熱穩定性好以抗輻射能力強等特點。sit在結構設計上採用多單元整合技術，因而可製成高壓大功率器件。
它不僅能工作在開關狀態，作為大功率電流開關，而且也可以作為功率放大器，用於大功率中頻發射機、長波電臺、差轉機、高頻感應加熱裝置以及雷達等方面。目前，sit的產品已達到電壓1500v、電流300a、耗散功率3kw、截止頻率30～50mhz。
但是sit在柵極不加任何訊號時是導通的，柵極加負偏壓時關斷，這被稱為正常導通型器件，使用不太方便。此外，sit通態電阻較大，使得通態損耗也大，因而sit還未在大多數電力電子裝置中得到廣泛應用。
5單電子電晶體
用一個或者少量電子就能記錄訊號的電晶體。隨著半導體刻蝕技術和工藝的發展，大規模積體電路的整合度越來越高。以動態隨機儲存器(dram)為例，它的整合度差不多以每兩年增加四倍的速度發展，預計單電子電晶體將是最終的目標。
目前一般的儲存器每個儲存元包含了20萬個電子，而單電子電晶體每個儲存元只包含了一個或少量電子，因此它將大大降低功耗，提高積體電路的整合度。2023年斯各特(j.h.
f.scott-thomas)等人在實驗上發現了庫侖阻塞現象。在調製摻雜異質結介面形成的二維電子氣上面，製作一個面積很小的金屬電極，使得在二維電子氣中形成一個量子點，它只能容納少量的電子，也就是它的電容很小，小於一個?
f (10-15法拉)。當外加電壓時，如果電壓變化引起量子點中電荷變化量不到一個電子的電荷，則將沒有電流通過。直到電壓增大到能引起一個電子電荷的變化時，才有電流通過。
因此電流-電壓關係不是通常的直線關係，而是臺階形的。這個實驗在歷史上第一次實現了用人工控制一個電子的運動，為製造單電子電晶體提供了實驗依據。為了提高單電子電晶體的工作溫度，必須使量子點的尺寸小於10奈米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。
有些實驗室宣稱已製出室溫下工作的單電子電晶體，觀察到由電子輸運形成的臺階型電流-電壓曲線，但離實用還有相當的距離。
6.電力電晶體
電力電晶體按英文giant transistor直譯為巨型電晶體，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型電晶體(bipolar junction transistor—bjt)，所以有時也稱為power bjt;其特性有：耐壓高，電流大，開關特性好，但驅動電路複雜，驅動功率大;gtr和普通雙極結型電晶體的工作原理是一樣的。
7.光電晶體
光電晶體(phototransistor)由雙極型電晶體或場效應電晶體等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收，產生光生載流子，通過內部電放大機構，產生光電流增益。光電晶體三端工作，故容易實現電控或電同步。
光電晶體所用材料通常是砷化鎵(gaas)，主要分為雙極型光電晶體、場效應光電晶體及其相關器件。雙極型光電晶體通常增益很高，但速度不太快，對於gaas-gaalas，放大係數可大於1000，響應時間大於納秒，常用於光探測器，也可用於光放大。場效應光電晶體響應速度快(約為50皮秒)，但缺點是光敏面積小，增益小(放大係數可大於10)，常用作極高速光探測器。
與此相關還有許多其他平面型光電器件，其特點均是速度快(響應時間幾十皮秒)、適於整合。這類器件可望在光電整合中得到應用。
2樓：同方老劉
電晶體按製造材料分有矽電晶體和鍺電晶體。
按結構分有pnp三極體和npn三極體。
按頻率分有高頻三極體和低頻三極體。
按功率分有小功率管(pvm小於1w)和大功率管。
按種類分有光電管，發光管，場效電晶體，變容管，單結電晶體，微波管，整流管，穩壓管等。
按電極數分二極體，三極體。
按封裝可分金屬殼管和塑封管。
希望解決了你的問題，望採納。
電晶體有哪些特性？
3樓：贛南臍橙
一、電晶體的種類 電晶體有多種分類方法。 （一）按半導體材料和極性分類 按電晶體使用的半導體材料可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體管。按電晶體的極性可分為鍺npn型電晶體、鍺pnp電晶體、矽npn型電晶體和矽pnp型電晶體。
（二）按結構及製造工藝分類 電晶體按其結構及製造工藝可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體。 （三）按電流容量分類 電晶體按電流容量可分為小功率電晶體、中功率電晶體和大功率電晶體。 （四）按工作頻率分類 電晶體按工作頻率可分為低頻電晶體、高頻電晶體和超高頻電晶體等。
（五）按封裝結構分類 電晶體按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）電晶體、塑料封裝（簡稱塑封）電晶體、玻璃殼封裝（簡稱玻封）電晶體、表面封裝（片狀）電晶體和陶瓷封裝電晶體等。其封裝外形多種多樣。 （六）按功能和用途分類 電晶體按功能和用途可分為低噪聲放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光敏電晶體和磁敏電晶體等多種型別。
二、電晶體的主要引數 電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 （一）電流放大係數 電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。 根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。
1．直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化訊號輸入時，電晶體集電極電流ic與基極電流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2．交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△ic與基極電流變化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有區別又關係密切，兩個引數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。
（二）耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率pcm，是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。 耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過pcm值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
通常將耗散功率pcm小於1w的電晶體稱為小功率電晶體，pcm等於或大於1w、小於5w的電晶體被稱為中功率電晶體，將pcm等於或大於5w的電晶體稱為大功率電晶體。 （三）頻率特性 電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。
電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率ft和最高振盪頻率fm等。 1．特徵頻率ft 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。
通常將特徵頻率ft小於或等於3mhz的電晶體稱為低頻管，將ft大於或等於30mhz的電晶體稱為高頻管，將ft大於3mhz、小於30mhz的電晶體稱為中頻管。 2．最高振盪頻率fm 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率ft則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。
（四）集電極最大電流icm 集電極最大電流是指電晶體集電極所允許通過的最大電流。當電晶體的集電極電流ic超過icm時，電晶體的β值等引數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 （五）最大反向電壓 最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。
它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用vceo或bvceo表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用vcbo或bvcbo表示。
3．發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用vebo或bvebo表示。 （六）反向電流 電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流icbo和集電極—發射極之間的反向擊穿電流iceo。 1．集電極—基極之間的反向電流icbo icbo也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。
icbo對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。 2．集電極—發射極之間的反向擊穿電流iceo iceo是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的效能越好。
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