1樓：
意思就是要用歐姆表去直接測量. 歐姆表就是自身產生一個弱電流, 去測量探針兩端的電壓, 然後和自身的體電阻比較, 最後給出電阻值. 但是這對於半導體是不準確的, 半導體電阻無法用兩根探針測量的主要原因是:
1．接觸電阻的影響嚴重。探針與半導體接觸產生一定厚度的耗盡層，耗盡層是高阻的, 另外探針和半導體之間不像與金屬之間一樣很好的接觸, 還會產生一個額外的電阻, 稱為擴充套件電阻，兩者都是接觸電阻，通常都很大. 半導體的實際電阻相對於它們越小, 測量結果就越不準確.
2．存在少子電注入.
專用方法：四探針法, 兩根探針輸入測量電流, 另外兩根探針測量電壓分佈.
要是懂電流計, 電壓計和電阻計的原理, 就能更明白了.
實在不行換一個 或者在硬之城上面找找這個型號的資料
2樓：蘇州晶格電子
那要看你是要測什麼材料了。測薄膜有薄膜專用的測試儀和探頭，測塊棒材料和薄膜材料的測試儀可以通用，換個四探針探頭就可以了。測粉末有粉末專用的測試儀，包括手動測試儀和電動測試儀兩種。
四探針法測電阻率
3樓：百度文庫精選
內容來自使用者:chemzhangbin
【實驗目的】
1掌握四探針測試電阻率的原理和方法..2學會如何對特殊尺寸樣品的電阻率測試結果進行修正..3瞭解影響電阻率測試結果的因素..
【教學重點】
1四探針測試電阻率的原理和方法；.2特殊尺寸樣品的電阻率測試方法；.
【教學難點】
影響電阻率測試結果的因素及其修正方法學時【時間安排】6【教學內容】一、檢查學生預習情況
檢查預習報告。
二、學生熟悉實驗儀器裝置
rs8t-型四探針測試儀。
三、講述實驗目的和要求
1檢查儀器的連線是否正確，儀器狀態是否正常，並預熱..2用螺旋測微器測量圓形單晶矽片的厚度，有效數字為3.位.
3用遊標卡尺確定測量點..4在距離圓心14./直徑處測量矽片的電阻率.
5在距離邊緣5或6處測量矽片的電阻率..mmmm6對比不同位置處所測量的電阻率值..
四、實驗原理
假定在一塊半無窮大的均勻電阻率樣品上，放置兩個點電流源14電流由1和.流入，4從流出，如圖471.-所示.
另外，圖中23和代表的是樣品上放置的兩個測電壓的探針，它們相對於14和兩點的距離分別為r12、r42、r13、r43.在半無窮大的均勻電阻率樣品上點電流源所產生的電場具有球面對稱性，那麼電場中的等勢面將是一系列以點電流源為中心的半球面，如圖472.-所示.
1圖471位置任意的四探針示意圖.-
圖472半無窮大樣品上點電流源的半球等勢面.-設樣品電阻率為ρ，樣品電流為i，則在
四探針電阻率測試儀主要是測什麼電阻率的？
4樓：蘇州晶格電子
四探針電阻率測試儀配合不同的探頭可以測的材料也不同。配高耐磨的碳化鎢探針探頭，以測試矽等半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率；配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭，可測金屬箔、碳紙等導電薄膜，也可測陶瓷、玻璃或pe膜等基底上導電塗層膜，如金屬鍍膜、噴塗膜、ito膜、電容卷積膜等材料的薄膜塗層電阻率；配專用箔上塗層探頭，也可測試鋰電池電池極片等箔上塗層電阻率。
5樓：匿名使用者
四探針電阻率測試儀也有很多種，例如高溫的或者常溫的，不同的四探針電阻率測試儀針對不同的材料測量的引數也是不同的。舉例，高溫四探針電阻率測試儀可以測量矽、鍺單晶電阻率和矽外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃和其他導電薄膜的方塊電阻，主要用於評估半導體薄膜和薄片的導電效能。hrms-800高溫四探針電阻率測試儀就是，主要測量的引數就是半導體材料的電阻、電阻率、方塊電阻等。
6樓：匿名使用者
四探針測試儀測矽片電阻率時，n型和p型的矽片都可以測。
比如用於做電力元件的矽片是n型的，用於做太陽能電池的矽片是p型的（有的），這些矽片用四探針測試儀都能測。
7樓：匿名使用者
四探針電阻率測試儀,依據樣品性質不同，測試量程也不同，一般分為：
ft-361低量程，用於測量低阻性塗層，薄膜，鋁箔等半導體材料，方阻量程：10^6～2×10^5ω/□ 電阻率範圍10^7～2×10^6ω-cm
ft-341通用型中間段量程；可以測量大部分半導體材料；
方阻量程：10^5～2×10^5ω/□ 電阻率範圍10^6～2×10^6ω-cm
3.ft-371高阻性半導體基底層
方阻量程：10^4～1×10^7ω/□；電阻率範圍10^5～2×10^8ω-cm
8樓：匿名使用者
主要是測方塊電阻,可以換算電阻率
直流四探針法測量電阻率的基本原理是什麼?
9樓：北京得利特
油體積電阻率測定儀按dl421.91《絕緣油體積電阻率測定法》的電力行業標準為專
依據，根據有源屬電橋的原理研製成功的一種新型電阻率測定專用儀器。具有結構簡單、線性度好、靈敏度高、測試結果穩定、操作安全等優點，其效能遠高於通常的電壓電流法。儀器由引數測量系統、油杯加熱控溫系統兩部分組成，具有自動計時、液晶顯示功能。
可測量絕緣油體積電阻率。
10樓：匿名使用者
四探針電阻率測來試儀也源有很多種，例如高溫的或bai者常溫的，
du不同的四探針電阻zhi率測試
儀針對不同的材料dao測量的引數也是不同的。舉例，高溫四探針電阻率測試儀可以測量矽、鍺單晶電阻率和矽外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃和其他導電薄膜的方塊電阻，主要用於評估半導體薄膜和薄片的導電效能。hrms-800高溫四探針電阻率測試儀就是，主要測量的引數就是半導體材料的電阻、電阻率、方塊電阻等。
直流四探針法測量半導體的電阻率的原理是什麼？有什麼需要注意的嘛
11樓：匿名使用者
四探針電阻率測試儀也有很多種，例如高溫的或者常溫的，不同的四探針電阻率測試儀
版針對不同的材料
權測量的引數也是不同的。舉例，高溫四探針電阻率測試儀可以測量矽、鍺單晶電阻率和矽外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃和其他導電薄膜的方塊電阻，主要用於評估半導體薄膜和薄片的導電效能。hrms-800高溫四探針電阻率測試儀就是，主要測量的引數就是半導體材料的電阻、電阻率、方塊電阻等。
什麼是高溫四探針電阻率測量系統？
12樓：匿名使用者
四探針法測電阻率其實從專業角度來說，就是使用專業的高溫四探針測量系統來測量。該系統包括高溫測試平臺、高溫四探針夾具、高溫電阻率測量軟體。
三琦高溫四探針測量系統是為了滿足材料在高溫環境下的阻抗特性測量需求而設計的。它由硬體裝置和測量軟體組成，包括高溫測試平臺、高溫四探針夾具、電阻率測試儀和高溫電阻率測量系統軟體四個組成部分。
高溫測試平臺是為樣品提供一個高溫環境；高溫四探針夾具提供待測試樣品的測試平臺；電阻率測試儀則負責測試引數資料。最後，再通過測量軟體將這些硬體裝置的功能整合在一起，形成一套由實驗方案設計到溫度控制、引數測量、圖形資料顯示與資料分析於一體的高溫電阻率測量系統。
13樓：匿名使用者
薄膜材料一般都是用四探針法來確定面電阻率的吧
利用直流四探針法測量半導體的電阻率
一,測試原理:
當四根金屬探針排成一條直線,並以一定壓力壓在半導體材料上時,在1,4兩根探針間通過電流i,則2,3探針間產生電位差v(如圖所示).
根據公式可計算出材料的電阻率:
其中,c為四探針的探針係數(cm),它的大小取決於四根探針的排列方法和針距.
二,儀器操作:
(一)測試前的準備:
1,將電源插頭插入儀器背面的電源插座,電源開關置於斷開位置;
2,工作方式開關置於"短路"位置,電流開關處於彈出位置;
3,將手動測試架的遮蔽線插頭與電氣箱的輸入插座連線好;
4,對測試樣品進行一定的處理(如噴沙,清潔等);
5,調節室內溫度及溼度使之達到測試要求.
(二)測試:
首先將電源開關置於開啟位置,測量選擇開關置於"短路",出現數字顯示,通電預熱半小時.
1,放好樣品,壓下探頭,將測量選擇開關置於"測量"位置,極性開關置於開關上方;
2,選擇適當的電壓量程和電流量程,數字顯示基本為"0000",若末位有數字,可旋轉調零調節旋鈕使之顯示為"0000";
3,將工作方式開關置於"i調節",按下電流開關,旋動電流調節旋鈕,使數字顯示為"1000",該值為各電流量程的滿量程值;
4,再將極性開關壓下,使數顯也為1000±1,退出電流開關,將工作方式開關置於1或6.28處(探頭間距為1.59mm時置於1位置,間距為1mm時置於6.28位置);
(調節電流後,上述步驟在以後的測量中可不必重複;只要調節好後,按下電流開關,可由數顯直接讀出測量值.)
5,若數顯熄滅,僅剩"1",表示超出該量程電壓值,可將電壓量程開關撥到更高檔;
6,讀數後,將極性開關撥至另一方,可讀出負極性時的測量值,將兩次測量值取平均數即為樣品在該處的電阻率值.
三,注意事項:
1,壓下探頭時,壓力要適中,以免損壞探針;
2,由於樣品表面電阻可能分佈不均,測量時應對一個樣品多測幾個點,然後取平均值;
3,樣品的實際電阻率還與其厚度有關,還需查附錄中的厚度修正係數,進行修正.
四探針法測電阻率為什麼要反向測量？
14樓：匿名使用者
四個探針在一條直線上，那麼當電壓正反改變時，由於對稱性，中間兩探針間電勢差絕對值應專相等，而屬現在不相等，我想要麼是你零點沒調好，或者在做的時候發生了零點漂移，要麼是四個探針之間厚度不均勻，所以取個平均代表整體
所以我覺得可能的原因有兩點
1 防止未調零好或減小零點漂移的誤差
2 防止材料各部分厚度不均勻，取平均計算平均的電阻率當然這是自己想的可能有錯，歡迎指出
15樓：匿名使用者
fgzdhgfhzghgchb
用四探針法測量金屬薄膜電阻率時可能產生誤差的根源
四探針方塊電阻 又叫薄膜電阻 測試儀是半導體制造中常用的檢測儀器之一，用以測量半導體材料的電阻率和薄膜的方塊電阻，同時達到測量半導體薄層材料的摻雜濃度和薄膜厚度 控制器件和積體電路效能的目的。在此基礎上發展起來的交流四探針方法，能夠消除電接觸區的熱電勢，但它對交流電流源和檢測訊號的交流放大器穩定性的...
電橋法測電阻，電橋法測電阻原理？
樓主的思維還是侷限在 電流從正極流出然後分流 等等情況上。對於這種複雜的電路我們就要應用基爾霍夫定律來列方程求解。具體過程你可以參照一下任何一本大學教材。我這裡就這題解答一下。設abc為迴路l1,bcd為l2,之所以不再設abcd迴路是因為如果針對abcd列出了方程，那麼這個方程實際上就是前兩個的相...
伏安法測電阻，什麼是伏安法測電阻
為了儘可能。準確。測量被測電阻的阻值，必須滿足條件 測得的電流和電壓最接近於。通過被測電阻的電流i和被測電阻兩端的電壓u。而誤差產生的原因有。兩個原因，一個是實驗方法的錯誤選用，比如測量一個阻值很小的電阻時，電壓表測量的是電流表和電阻兩端的電壓u，而我們計算的出來的阻值r是電阻和電流表的總電阻。第二...