1樓：王者是你嗎
三者都是基於p-n結的結型光電探測器，工作在伏安特性曲線的第三象限。 光電二極體結構如下圖所示。光電二極體的反向偏置電壓主要施加在p-n結的耗盡層上，而非耗盡層的p、n端的電壓降很小，電子在非耗盡區運動主要是靠濃度擴散，所以電子運動速度慢，導致普通p-n結型光電二極體的響應速度慢，響應時間在10-7s量級。
pin型光電二極體的結構如下圖所示，它由p、n型半導體間夾一本徵半導體層，而p、n端的厚度很薄。所以，反偏置電壓近似均勻分佈在整個pin結上，電子在電場作用下快速漂移運動，減小了電子的渡越時間，提高了響應速度。響應時間在10-9s量級。
雪崩二極體的結構和普通二極體的類似，只是在p-n結區增加了一個保護環，以提高p-n結的反向擊穿電壓。雪崩二極體的工作原理：施加接近反向擊穿電壓的反向偏置電壓，使耗盡區的電場強度達105伏/釐米，光生電子在強電場加速下，獲得高的動能，當與晶格發生碰撞時，使晶格電離形成二次電子。
二次電子再被強電場加速，再次與晶格碰撞，使其電離產生二次電子，這個過程繼續下去，稱為雪崩過程，雪崩過程使電子數劇增，產生大的增益。 雪崩型光電二極體，它既響應快，又具有高的增益。所以具有高的光電靈敏度，接近光電倍增管。
我來答共2條回答
熱心網友 2015-04-23
2樓：中球祝
非常不錯的解釋，我收到了很大的幫助，謝謝
3. 分析比較以下幾種光電檢測器件的異同：矽光電池，光電二極體（pin），雪崩光電二極體（apd）。主要從以
3樓：匿名使用者
簡單說，都可以產生光生電流，把光變成電。
矽光電池：主要是能量轉化，一般工作於可見光波段，把光能轉化為電能，單晶矽18%左右，
多晶矽16%左右，一般不會考慮訊雜比；
pin: 用於光至電訊號轉換，通訊中常用，主要的有工作於850nm波段和1100nm-1650nm波段的，
轉化效率一般在0.85a/w左右，訊雜比可以做到很高，這個過程中的噪聲主要是熱噪聲；
apd:和pin相比，多了一個雪崩增益區，可以發大光生電流，從而提高轉化效率，但是雪崩增益
本身也會產生噪聲。
pin光電二極體與雪崩二極體的差別與優缺點
4樓：匿名使用者
pin光電二極體響應頻率高，可高達10ghz，響應速度快，供電電壓低，工作十分穩定。
雪崩二極體靈敏度高，響應快，但雪崩二極體需要上百伏的工作電壓，而且效能和入射光功率有關，當入射光功率大時，增益引起的噪聲大，帶來電流失真。
pin光電二極體與雪崩光電二極體的工作原理與特點。
5樓：匿名使用者
pin: 光敏面接收對應波長的光照時，產生光生電流；
雪崩光電二極體（apd）：除了和pin相同部分外，多了一個雪崩增益區，光生電流會被放大，
放大的倍數稱為雪崩增益係數。當然同時也會產生噪聲電流。
pin光電二極體與雪崩二極體的差別與優缺點
6樓：羽興佔綢
pin光電二極體響應頻率高，可高達10ghz，響應速度快，供電電壓低，工作十分穩定。
雪崩二極體靈敏度高，響應快，但雪崩二極體需要上百伏的工作電壓，而且效能和入射光功率有關，當入射光功率大時，增益引起的噪聲大，帶來電流失真。
怎麼提高pin光電二極體的光電效率
7樓：
1550nm的接收雪崩管有面積0.8m的,這個面積很小,噪音不會很大,pin管的轉換效率各個廠家的都不一樣,而且每個廠家的產品也有高低端不同的,看你的要求了,osram,osi跟hamamatsu的管子應該有能滿足你要求的.
pin管才是不適合探測非常微弱的光訊號,他的響應靈敏度非常弱,比雪崩管差很多,如果真的是非常微弱的光訊號,建議用雪崩管,不過成本比較高.
上面回答的∴想要變亮最好別用它「雪崩二極體」,是什麼意思,我沒弄明白,而且所說的10ghz是指的哪一款管子? 響應速度快也是個疑問,跟雪崩管比較?如果是跟雪崩管比較的話,不可能有響應速度快的說法,供電電壓低是肯定的,但穩定,就不一定了,他應該是沒有正確使用雪崩管得出的結果.
8樓：匿名使用者
使速度快
pin光電二極體響應頻率高，可高達10ghz，響應速度快，供電電壓低，工作十分穩定。∴想要變亮最好別用它「雪崩二極體」
光電倍增管和雪崩光電二極體有何不同?
9樓：蒲公英花開丶
雪崩光電二極體是利用二極體的雪崩擊穿效應制成的,光電倍增二極體是放大光電訊號的。
二極體，（英語：diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（varicap diode）則用來當作電子式的可調電容器。
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流（rectifying）」功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
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