1樓：辛謐帖勇銳
片內的用mov，片外的用movx，片外的也就是你用p0,p2口自己外擴的儲存晶片。
你所說的這512位元組應該都是片內的，用mov定址。
我一般都是用52的，有256位元組可用，實際上可用的只有128位元組可用，因為還有128位元組是做暫存器用。即使128位元組暫存器沒用完，使用者也不能用。
你那晶片具體有多少可用還是要看下資料手冊。
2樓：花逸百榮軒
比如說有512位元組的sram，是有256用mov定址，256用movx定址
stc微控制器的sram是指那一片區域？
3樓：
片內的用mov，片外的用movx，片外的也就是你用p0,p2口自己外擴的儲存晶片。
你所說的這512位元組應該都是片內的，用mov定址。
我一般都是用52的，有256位元組可用，實際上可用的只有128位元組可用，因為還有128位元組是做暫存器用。即使128位元組暫存器沒用完，使用者也不能用。
你那晶片具體有多少可用還是要看下資料手冊。
4樓：匿名使用者
比如說有512位元組的sram，是有256用mov定址，256用movx定址
program size: data=84.0 xdata=1751 code=16158和stc微控制器裡的flash、sram、eeprom是怎麼對應的？
5樓：
這個沒有一致的對應關係。
code大體上對應於flash儲存器，實際佔用的空間會比這個數字多一點點（塊之間的空隙）。
data大體上對應於內部的sram。
xdata取決於你的設計，可能對應於片內的擴充套件sram，也可能對應於片外的擴充套件sram。
至於eeprom，跟以上都沒有關係。
我的stc90c516rd+微控制器技術資料說有1280的sram。但書上說內部資料暫存器地址是00
6樓：
其中256位元組分佈在片內資料儲存器範圍，1024位元組位於片外資料儲存器xram定址範圍
256+1024 =1280
stc微控制器的flash程式儲存器、sram位元組、eeprom有什麼區別與聯絡？
7樓：匿名使用者
特點：eeprom可單位元組操作更靈活，flash儲存量更大些flash：只能塊擦除（叫塊擦除更準確吧，原文是block），舉例說明：
比如你用的flash的block是512個位元組（不同的flash大小不同），那麼只有擦除過（所有位寫「1」）的block才能重新寫入，意思就是隻能從「1」寫到「0」，如果要從「0」改到「1」必須整塊擦除，而且擦除時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢很多。flash主要用於程式儲存。eeprom;可以單位元組操作，沒有塊擦除的要求。
相對flash更為靈活。當用來儲存裝置工作狀態，等靈活而又獨立的資訊時最好用eeprom。
sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。而dram（dynamic random access memory)每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能，但是sram也有它的缺點，即它的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，所以在主機板上sram儲存器要佔用一部分面積。
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