1樓：匿名使用者
是指，該能級被電子填充的概率為1/2. 在金屬中，零溫時，ef=u,概率1/2就是電子的最高能級處。 而在半導體中，存在導帶，價帶和帶隙；在接近零溫時，導帶基本沒有電子，價帶基本充滿電子，費米分佈類似階躍函式。
所以ef在帶隙正中間，確保 電子 和 空穴 等量（如果導帶底和價帶頂的太密度一樣的話）。
費米能級是什麼？？
2樓：醉意撩人殤
費米能級是溫度為絕對零度時固體能帶中充滿電子的最高能級。常用ef表示。對於固體試樣，由於真空能級與表面情況有關，易改變，所以用該能級作為參考能級。
電子結合能就是指電子所在能級與費米能級的能量差。
雖然嚴格來說，費米能級等於費米子系統在趨於絕對零度時的化學勢；但是在半導體物理和電子學領域中，費米能級則經常被當做電子或空穴化學勢的代名詞。一般來說，「費米能級"這個術語所代表的含義可以從上下語境中判斷。
3樓：刀劍笑
定義其他的回答都說了，我的理解是費米能級相當於水面，0k時，水面上沒電子，水面下被電子佔據概率100%。同樣的還有參雜時的準費米能級，電子和空穴都有自己的準費米能級，兩個不同高度的水面。
4樓：我是一隻笨小鳥
如果一個能帶中的某一個能級的能量設為e，則該能級被電子佔據的概率是符合一個函式規律的即為f（e），f（e）稱為費米函式。
當f（e）=1/2時，得出的e的值對應的能級為費米能級。
一般近似的認為費米能級一下的能級都被電子所填充。
5樓：
費米能級位於禁帶之中（即位於價帶之上，導帶之下），費米能級是量子態是否被電子佔據的分界線。能量高於費米能級的量子態基本是空的，能量低於費米能級的量子態基本上全部被電子所佔據。
希望能幫到你。
費米能級與半導體導電性的關係
費米能級對半導體的意義，該怎麼樣理解呀？
6樓：網友
在0k時，費米能級是電子所佔據的能量最高的能級，大於0k時，費米能級是電子佔據概率為1/2的能級。總之，費米能級表徵了各能級被電子佔據的概率。
7樓：青色傷痕
費米分佈f（e)=1/(1+exp[(e-ei)/(kt)])其中ei為費米能級，該能級上的一個狀態被電子佔據的幾率是1/2。
費米能級在半導體物理中是個很重要的物理引數，只要知道了他的數值，在一定溫度下，電子在各量子態上的統計分佈就完全確定了。它和溫度，半導體材料的導電型別，雜質的含量以及能量零點的選取有關。
8樓：穩重還老實的榜眼
其實就是電子的分割面。
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本徵半導體的費米能級與什麼有關
9樓：happy海之謎
費米能級處能帶的位置與半導體的電子、空穴濃度有關，導體的電子、空穴濃度相等，本徵半費米能級位於禁帶中線ei處。
10樓：特別註冊的號
本徵半導體，純淨，未經任何參雜。
費米能級位於禁帶中線ei處。
就算溫度升高，本徵激發增強，電子和空穴也是成對出現ef還是和ei重合。
11樓：匿名使用者
禁頻寬度，溫度。你看教材上的本徵費米能及的公式就知道了。
n型半導體與p型半導體費米能級的差別
12樓：網友
n型半導體費米能級靠近導帶邊，過高摻雜會進入導帶。
p型半導體費米能級靠近價帶邊，過高摻雜會進入價帶。
13樓：肚子好e啊
在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。
n型半導體也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了n型半導體。在n型半導體中，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。
摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能就越強。
本徵半導體 不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發後，價帶。
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