可控矽模組焊接壓接有什麼不同？

1樓：融融電子

主要是裡面晶片的區別因為兩種晶片製造工藝不同各有各的好焊接式只能做到160a 在往上就有難度了。

壓接的就不同了可以做到1000a

一般來說壓接的模組引數離散性要比焊接小但熱阻要比焊接的要高點《熱阻這個實驗我沒做過僅供參考》

可控矽模組發展歷程及分類是怎樣的？

求雙向可控矽模組的接線，請電工高手指點

2樓：楊必宇

需要可控矽觸發板：

4-20ma是電流模擬訊號，這個模組裡有兩個單向可控矽，用到交流裡調壓要兩個可控矽反並聯使用，每個可控矽分別控制交流電的正半周與負半周，所以兩個可控矽都要觸發。

可控矽模組怎麼分類的

有哪些可控矽模組有四個引腳，兩個引腳接控制電流，兩個接大電流，且控制極斷電自動關斷

3樓：匿名使用者

四個引腳的可控矽實際上是兩個可控矽，還不是真正意義上的雙向可控矽。其線路圖如下：

kp閘流體模組的串聯和並聯有何不同？

4樓：幻塵黑騎士

當kp閘流體模組額定電壓小於要求時，可以串聯。採用閘流體模組串聯希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。

當kp閘流體模組靜態不均壓，串聯的閘流體模組流過的漏電流相同，但因靜態伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應選用引數和特性儘量一致的閘流體模組，採用電阻均壓，rp的阻值應比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。

當kp閘流體模組動態不均壓，由於器件動態引數和特性的差異造成的不均壓，這時我們要選擇動態引數和特性儘量一致的閘流體模組，用rc並聯支路作動態均壓，採用門極強脈衝觸發可以顯著減小器件開通時間的差異。

和kp閘流體模組串聯不同的是，閘流體模組並聯會使多個器件並聯來承擔較大的電流，會分別因靜態和動態特性引數的差異而電流分配不均勻，這時我們要挑選特性引數儘量一致的器件，採用均流電抗器，用門極強脈衝觸發也有助於動態均流。

需要注意的是當kp閘流體模組需要同時串聯和並聯時，通常採用先串後並的方法聯接。

5樓：獅子城下鳴海

閘流體的三個極名字分別為a陽極 k陰極 g門極你說的k1 g1也就是1號可控矽的陰極和控制極（當閘流體處於正向偏置，這時在k極g極施加觸發電平閘流體就能導通）k1和k2的區別也就是閘流體的編號不一樣，功能是一樣的。很可能兩個閘流體通過反向並聯，來達到全波的目的，k1k2也就是便於區分加上的編號。

可控矽模組mtc和mta有什麼區別？

電位器與可控矽模組怎樣接?

6樓：匿名使用者

不是你想象的那麼簡單，需要可控矽觸發電路才能使輸出電壓可調節控，不能直接使用一個電位器加一個可控矽實現電壓調節，具體電路有許多種，網上可以找到！

7樓：網友

電位器接在觸發控制迴路，可控矽的主迴路接用電器。