1樓：暴走愛生活
pn結是由一個n型摻雜區和一個p型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。
在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成n型半導體，另一邊形成p型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為pn結。
在p型半導體和n型半導體結合後，由於n型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而p型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。
2樓：薄荷
一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面稱為pn結（英語：pn junction）。pn結是電子技術中許多元件，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
採用一些特殊的工藝（見本條目後面的段落），可以將上述的p型半導體和n型半導體緊密地結合在一起。在二者的接觸面的位置形成一個pn結。
p型、n型半導體由於分別含有較高濃度的「空穴」和自由電子，存在濃度梯度，所以二者之間將產生擴散運動。即：
（1）自由電子由n型半導體向p型半導體的方向擴散。
（2）空穴由p型半導體向n型半導體的方向擴散。
載流子經過擴散的過程後，擴散的自由電子和空穴相互結合，使得原有的n型半導體的自由電子濃度減少，同時原有p型半導體的空穴濃度也減少。在兩種半導體中間位置形成一個由n型半導體指向p型半導體的電場，成為「內電場」。
拓展資料：
由於pn結的單向導電性，可以利用它作為基礎製造半導體二極體、三極體等電子元件，例如常用的穩壓二極體、光電二極體、發光二極體（led）等。
3樓：匿名使用者
p型半導體和n型半導體接觸面形成pn結，p區中有大量空穴流向n區並留下負離子，n區中有大量電子流向p區並留下正離子（這部分叫做載流子的擴散），正負離子形成的電場叫做空間電荷區，正離子阻礙電子流走，負離子阻礙空穴流走（這部分叫做載流子的漂移），載流子的擴散與漂移達到動態平衡，所以pn結不加電壓下呈電中性。
4樓：匿名使用者
是由半導體材料形成的。
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