場效電晶體上面標註的是什麼意思？
1樓：換了好幾個人
這個管子所標出的是它本身的耗散功率。也是指的這隻功率管自身能承受和耗散的功率（含按它要求上的散熱器後）。
場效電晶體上面標8n60，7n605n60是什麼意思可以通用嗎？
2樓：安全護航
5n60中5代表安培數為5安，60代表電壓為600伏 。
用大的安培數去代替小的安培數是沒有問題的，但是反過來不行。
3樓：錦繡河山
①、關於以上那8n60屬於n溝道場效電晶體，其引數是//耐壓：600v//電流：8a//t0-220封裝//。
n60屬於n溝道場效電晶體，其引數是//耐壓：600v//電流：7a//t0-220封裝//。
向那5n60屬於n溝道場效電晶體，其引數是//耐壓：600v//電流：5a//t0-220封裝//。
4樓：行者
8n60場效電晶體8表示最大電流8安，60表示耐壓600v，以此類推。
5樓：yx陳子昂
耐壓相同，只是電流和功率不一樣，如果功率不大的話可以通用。
6樓：網友
是場效電晶體的名稱牌號，功率不同。n前面數字是電流的整數值。n後面的數字60是耐壓600v。一般耐壓相同，功率大的（電流大）可以代功率小的管子。
8n60基本引數。
1.電晶體極性：n
2.漏極電流， id最大值。
3.電壓， vds最大：600v
4.開態電阻， rds(on)
5.電壓@ rds測量：10v
7n607n60 mos管引數。
耗散功率（pd）：142
漏源反向電壓（vds）：600
柵源反向電壓（vgs）：30
漏極電流（連續）（id）：
最高結溫（tj），℃150
上公升時間（tr）：180
輸出電容（cd），pf：125
通態電阻（rds），ohm：
7樓：網友
我也搞不懂他們是什麼意思。
場效電晶體8n60c的引數及代換分別是什麼？
8樓：太平洋海角
場效電晶體8n60c的引數是：10a，600v，可以用sss7n60b，t2sk2545(2sk3562)，irfbc40，stp8nk60zfp進行代換。
場效電晶體代換隻需大小相同，分清n溝道p溝道即可，功率大的可以代換功率小的，一般情況下都用同樣型號的進行代換，避免其他的問題。
9樓：無怨深淵
8n60c引數是8a，600v。
代換可用sss7n60b、t2sk2545、irfbc40、stp8nk60zfp、8n6o 8a600v、10nnnn60都可以。
場效電晶體：field effect transistor，又稱場效應電晶體，是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體，[1]它屬於電壓控制型半導體器件。
場效電晶體分類：結型場效電晶體（jfet）和 絕緣柵場效電晶體（mos管）
場效電晶體的共源與共漏是什麼意思?
10樓：網友
lz對mos管理解有問題，共源、共柵、共漏是指以mos管為基本元件的放大電路連線形式，並非mos管本身的共內源容與共漏。
共源、共柵、共漏為mos管三種基本放大電路的形式，在小訊號分析的時候其等效電路可以看出共源即源級接地（其他同理）
共源放大電路特點：電壓增益高，反向放大，輸入阻抗大共漏放大電路特點：電壓為1，同向放大，輸入阻抗大，輸出阻抗低（一般做阻抗變換用）
共柵放大電路特點：電壓增益高，同向放大，輸入阻抗小。
11樓：網友
場效來應管主要有兩種型別，源乙個是mosfet和jfet，其中有bai分為。
dun勾道和p溝道，zhimosfet管中又分為增強型dao和耗盡型，所以共有6種組態。以n溝道增強型mosfet為例，它以一塊摻雜濃度較低，電阻率較高的p型矽半導體薄片作為襯底利用擴散的方法在p型矽中形成兩個高摻雜的n+區，然後在p型矽表面生長一層很薄的二氧化矽絕緣層，並在二氧化矽的表面及n+型區的表面分別安置3個鋁電極———柵極g，源極s，漏極d
場效電晶體上的標示5n60c或5n60f中的「60」和「c」/"f"分別代表什麼？
12樓：劉雨王秀傑
c和f一般都表示封裝形式 c表示半包封 也為金封 f代表的是全包封 也為塑封 5n60中5代表安培數為5安，60代表電壓為600伏 一般還有4n60 8n60等，這些是比較好辨別的，還有一些如。
830c 840c等要看規格書。
場效電晶體源極和漏極的本質區別是什麼？
13樓：網友
漏極相當於雙極型抄。
電晶體的c極，源極相當於e極，柵極相當b極，但二者的控制原理不一樣，場效電晶體為壓控器件，電晶體為流控器件。當柵源電壓大於開啟電壓時，漏源之間導通，電流由漏極流向源極。也就是說漏極是接正電壓的，源極接地。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體（fet）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。
由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。
fet 英文為field effect transistor，簡寫成fet。
14樓：網友
結型場效電晶體本質上沒有多大的區別，而絕緣柵極的場效電晶體是有區別的，耐壓的原因，接反了，管子不耐壓就會壞，還有的內部有保護二極體或電阻什麼的。
4n90c是什麼樣的場效電晶體
15樓：網友
4n90c 是n溝道的mosfet,是900v 4a 可用在開關電源上！
場效電晶體是什麼東西，什麼是場效電晶體
場效電晶體 現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件 電晶體是電流控制器件 其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小.場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p n結,在零偏壓的狀態下...
場效電晶體的工作原理是什麼，場效電晶體的工作原理是什麼？
場效電晶體工作原理用一句話說，就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs 0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極 源極間所...
場效電晶體的測量方法
場效電晶體簡單正確的測量。朋友，你參考一下下面這些。場效電晶體的識別方法及測量 一 符號 q vt 場效電晶體簡稱 是另一種半導體器件，是通過電壓來控制輸出電流的，是電壓控制器件 場效電晶體分三個極 極為漏極 供電極 極為源極 輸出極 極為柵極 控制極 極和 極可互換使用 場效電晶體圖例 二 場效電...