1樓：天涯海角
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。
從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。
其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體（fet）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名
2樓：電子愛好者小彭
場效電晶體你內部結構，工作原理和電路中的幾種用法
3樓：潛榮
很難將明白的
找本類比電子的書看下就會明白的
場效電晶體的工作原理和基本結構是什麼？
4樓：電子愛好者小彭
場效電晶體你內部結構，工作原理和電路中的幾種用法
5樓：忻燁華
回答您好場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。
電路將一個增強型p溝道mos場效電晶體和一個增強型n溝道mos場效電晶體組合在一起使用。當輸入端為低電平時，p溝道mos場效電晶體導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，n溝道mos場效電晶體導通，輸出端與電源地接通。
在該電路中，p溝道mos場效電晶體和n溝道mos場效電晶體總是在相反的狀態下工作，其相位輸入端和輸出端相反。
提問如何測
回答測啥？
提問場效電晶體
用萬用表
測電阻回答
首先觀察場效電晶體的外觀是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等說明已經發生損壞。
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
對場效電晶體的引腳進行清潔，然後用小鑷子對場效電晶體進行放電，避免殘留電荷對檢測產生影響。
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
選擇數字萬用表的【二極體】擋。
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
將黑表筆接待測場效電晶體左邊的第1只引腳，用紅表筆分別測它與另外兩隻引腳間的阻值，兩次檢測結果均為無窮大
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
將黑表筆接中間的引腳，用紅表筆分別測它與另外兩隻引腳間的阻值。
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
將黑表筆接在第3只引腳上，用紅表筆分別去測另外兩隻引腳與該引腳間阻值。
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
測量的場效電晶體的3只引腳中的任意兩隻引腳的阻值，由於只有一次有讀數，一般阻值400~800，因此判斷這個場效電晶體。
怎樣檢測場效電晶體的好壞？
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場效電晶體的工作原理
6樓：blackpink_羅捷
就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。
在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。
這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。
因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
7樓：匿名使用者
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。
從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的 強度幾乎不變產生id的飽和現象。
其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
特點：場效電晶體與雙極型電晶體相比，場效電晶體具有如下特點：
1、場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
2、場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
3、它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
4、它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
5、場效電晶體的抗輻射能力強；
6、由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
作用：1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效電晶體可以用作可變 電阻。
4、場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5、場效電晶體可以用作電子開關。
8樓：電子愛好者小彭
場效電晶體你內部結構，工作原理和電路中的幾種用法
場效電晶體是個什麼東西?原理作用都是什麼?
9樓：654鄉
1.場效電晶體（fet）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2.場效電晶體工作原理就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。
更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。
從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。
其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
3.作用：
1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5.場效電晶體可以用作電子開關。
場效電晶體與三極體的各自應用特點
1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2.場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由ib（或ie）控制ic。
3.場效電晶體柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的柵極輸入電阻比三極體的輸入電阻高。
4.場效電晶體是由多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效電晶體。
5.場效電晶體在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極體的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。
6.場效電晶體的噪聲係數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。
7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開關電路，但由於前者製造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓範圍寬等優點，因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。
8.三極體導通電阻大，場效電晶體導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現用電器件上，一般都用場效電晶體做開關來用，他的效率是比較高的。
場效電晶體是什麼東西，什麼是場效電晶體
場效電晶體 現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件 電晶體是電流控制器件 其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小.場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p n結,在零偏壓的狀態下...
場效電晶體的測量方法
場效電晶體簡單正確的測量。朋友，你參考一下下面這些。場效電晶體的識別方法及測量 一 符號 q vt 場效電晶體簡稱 是另一種半導體器件，是通過電壓來控制輸出電流的，是電壓控制器件 場效電晶體分三個極 極為漏極 供電極 極為源極 輸出極 極為柵極 控制極 極和 極可互換使用 場效電晶體圖例 二 場效電...
功率場效電晶體的驅動問題
將前極驅動籠統的看作 驅動源 由於功率mosfet的輸入屬於電壓驅動，必然會存在器件輸入電容，尤其在大功率，高頻率時這種輸入電容非常明顯。為提高開關速率並降低開關損耗，可以通過改變柵極串聯電阻控制開通過程中的峰值電流，就是串聯這一電阻的意義，在執行頻率較低時，開關損耗所佔比例較小，驅動電壓的上升 下...