1樓：安全護航
5n60中5代表安培數為5安,60代表電壓為600伏 。
用大的安培數去代替小的安培數是沒有問題的，但是反過來不行。
2樓：錦繡河山
①、關於以上那8n60屬於n溝道場效電晶體，其引數是//耐壓：600v//電流：8a//t0-220封裝//。
②、7n60屬於n溝道場效電晶體，其引數是//耐壓：600v//電流：7a//t0-220封裝//。
③、向那5n60屬於n溝道場效電晶體，其引數是//耐壓：600v//電流：5a//t0-220封裝//。
④、關於以上三種型號的場效電晶體均不可以互換，原因是，三種管子的耐電流各不相同。僅供參考！
3樓：行者
8n60場效電晶體8表示最大電流8安，60表示耐壓600v，以此類推。
4樓：yx陳子昂
耐壓相同，只是電流和功率不一樣，如果功率不大的話可以通用
5樓：匿名使用者
是場效電晶體的名稱牌號，功率不同。n前面數字是電流的整數值。n後面的數字60是耐壓600v。一般耐壓相同，功率大的（電流大）可以代功率小的管子。
8n60基本引數
1.電晶體極性:n
2.漏極電流, id最大值:7.5a
3.電壓, vds最大:600v
4.開態電阻, rds(on):1.2ohm5.電壓@ rds測量:10v
7n60
7n60 mos管引數
耗散功率（pd）：142
漏源反向電壓（vds）：600
柵源反向電壓（vgs）：30
漏極電流（連續）（id）：17.4
最高結溫（tj），℃：150
上升時間（tr）：180
輸出電容（cd），pf：125
通態電阻（rds），ohm：0.83
6樓：匿名使用者
我也搞不懂他們是什麼意思。
場效電晶體8n60c的引數及代換分別是什麼？
7樓：太平洋海角
場效電晶體8n60c的引數是：10a，600v，可以用sss7n60b，t2sk2545(2sk3562)，irfbc40，stp8nk60zfp進行代換。
場效電晶體代換隻需大小相同，分清n溝道p溝道即可，功率大的可以代換功率小的，一般情況下都用同樣型號的進行代換，避免其他的問題。
擴充套件資料
場效電晶體屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。
場效應電晶體可分為結場效應電晶體和mos場效應電晶體，而mos場效應電晶體又分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。
8樓：無怨深淵
8n60c引數是8a，600v。
代換可用sss7n60b、t2sk2545、irfbc40、stp8nk60zfp、8n6o 8a600v、10n60、8n80、10n60、11n60都可以。
場效電晶體：field effect transistor，又稱場效應電晶體，是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體，[1]它屬於電壓控制型半導體器件。
場效電晶體分類：結型場效電晶體（jfet）和 絕緣柵場效電晶體（mos管）
9樓：匿名使用者
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。這是一個200v34a的場效電晶體。
場效應電晶體（field-effect transistor ,fet）是利用輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。場效電晶體按結構，可分為結型和絕緣柵型兩大類。
絕緣柵型場效應電晶體的柵極與源極、柵極與漏極之間均採用sio2絕緣層隔離，故有絕緣柵型之稱。或者按其金屬-氧化物-半導體的材料構成，可稱其為mos管。
絕緣柵型場效應電晶體有n溝道和p溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種。
在一塊摻雜濃度低的p型半導體上，擴散兩個高摻雜的n+型半導體區，並引出兩個電極，分別稱為源極s和漏極d。在兩個n+區間的p型半導體氧化一層極薄的sio2絕緣層，在sio2絕緣層上製作一層金屬鉛，引出電極，作為柵極g。
在製造n溝道mos管時，如果在二氧化矽絕緣層中摻入大量正離子，就會在兩個n+型區之間的p型襯底表面形成足夠的電場，p型襯底中的空穴被排斥到遠端，襯底中的電子被吸引到表面，形成一個n型薄層，將兩個n+型區即漏極和源極溝通。這個n+型薄層稱為n型導電溝道，又因為是在p型襯底中形成的而稱為反型層。這種mos管在製造時導電溝道已經形成，稱為耗盡型mos管。
如果導電溝道不是預先在製造時形成的，而是利用外加柵極-源極電壓形成電場產生的，則此類稱為增強型mos管。當ugs>0時，g和s像一個平板電容器的兩個極板，sio2和p型襯底好像電容中的介質，g-s間加正向電壓後，其間便形成一個電場，在此電場的作用下，p型襯底中的空穴被排斥到遠端，襯底中的電子被吸引到表面，形成一個n型導電溝道，當ugs增大時，感生負電荷q負增多；當ugs增大到某一數值比如(ugs=uth)時，q負足夠多，恰好將兩個n+區連線連通，這時只要uds≠0，d-s間就會導通，即id=0。如果ugs繼續增大，id隨之增大；相反，如果ugs減小，id隨之減小。
如果在d引線上串入一個電阻rd，則id就會在rd上產生壓降，並隨著ugs的變化而變化。顯然，這是一個受電壓控制的電晶體。
p溝道mos管是因在n型襯底中生成p型反型層而得名。其結構和工作原理與n溝道mos管似。只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與n溝道mos管相反。
由於mos管工作時只有一種極性的載流子(n溝道是電子，p溝道是空穴)參與導電，故亦稱為單極型電晶體。與雙極型電晶體的共發射極接法類似，mos管採用共源法
當ugs上升時，感生負電荷q負增多；當ugs增到某個值比如ugs=uth時，q負足夠多，恰好將兩n+區連通，這時只要uds≠0，d-s間就會導通，即id≠0。如果ugs增大，id也就越大。如果在d引線上串一個電阻rd，則id就會在rd上產生壓降，並隨著ugs的變化而變化。
所以場效應電晶體是電壓控制的電流源器件。
mosfet與bjt都是半導體電晶體，mosfet的源極、漏極、柵極分別相當於bjt的發射極、集電極、基極。bjt的集電極電流ic受基極電流ib的控制，是一種電流控制器件；而mosfet的漏極電流id受柵-源電壓ugs的控制，是一種電壓控制元件。www.
diangon.com但與bjt相比，mosfet具有輸入電阻大、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、耗電少等優點。這些優點使之從20世紀末60年代一誕生就廣泛應用於各種電子電路中。
另外，mosfet的製造工藝比較簡單，佔用晶片面積小，特別適用於製造大規模積體電路。
與bjt類似，mosfet不僅可以通過ugs控制id實現對訊號的放大作用，而且也可以作為開關元件，通過ugs控制其導通或判斷，廣泛用於開關電路和脈衝數位電路中。
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