1樓：創意電子設計
現在使用的三極體幾乎都是矽三極體。因為鍺三極體熱穩定性差，漏電大（主要是其iceo這個內引數太差）故現在鍺三容極管已很少使用。鍺管的優點就是飽和壓降小。
這兩種管子的顯著區別就是鍺管的發射結、集電結壓降在0.2~0.25v左右，而矽管的上述壓降一般都在0.
5~0.7v。上述壓降之所以不同是因為鍺材料與矽材料的原~子結構不同。
鍺原子 ~核束縛核外電子的能力比矽弱，故鍺的核~~外電子很容易從外界獲得能量（譬如：熱能）而脫離原~~~子核的束縛。故鍺管的壓降低於矽管。
這也是鍺管熱穩定性差，iceo大的主要原因。
請說下三極體中矽管和鍺管的區別
2樓：匿名使用者
現在已來經沒有鍺管了源
，一律是矽管了。這個問題，現在還問，沒有什麼意義了，估計是老教材上的課後題吧，太out了。
三極體是有兩個pn結的，就一個pn結而言，鍺管的pn結正向壓降低，只有0.3v，而矽管是0.7v。
反向耐壓鍺管很低，所以，容易反向擊穿。因此，鍺管的穿透電流就比較大，在放大電路中會產生噪聲，容易損壞。所以，只是在70年代以前才生產鍺管的。
3樓：鍾仙幹代天
點：一是導通電壓不同矽管是版0.65v鍺管是0.2-0.3v二是矽管正向電阻較大一般在幾權千歐。鍺管正向電阻在幾百歐。
矽管的熱穩定性好。鍺管的熱穩定性差
矽半導體材料多。現在的半導體一般都是矽管。鍺管很少了。
4樓：洋赫旁珺
早期的來電晶體多數是由源鍺單晶製成的
，包括bai二極體和三極體。後來隨著矽du材料及其製造工藝的解zhi
決使得矽管得到dao發展和普及應用。其主要區別是結壓降不同，鍺管的正向壓降較低約0.3伏特，矽管的正向壓降較高約0.
7伏特。另外，由於矽材料資源廣和製造工藝適宜大規模生產所以得到廣泛使用而成為電子器件的主角。
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