1樓：匿名使用者
國內 。中芯國際。
韓國。 三星。現代
美國。英特爾。鎂光
日本。東芝。瑞薩。
歐洲。意法半導體，
剩下就是一些沒什麼名氣和市佔率的。臺灣沒有能生產快閃記憶體晶片的公司。臺灣只是晶片封裝廠和半導體代工廠比較多。
2樓：匿名使用者
很多電子廠商都生產。。。。
intel 東芝 三星 等等。。。。其中nand flash結構是東芝提出的，nor flash是intel弄的
臺灣明朔電子****
臺灣憶正
3樓：傑克_瑞恩
e**t晶豪科技瞭解一下。
請問快閃記憶體是一個什麼東東？
4樓：紫背天葵
目前流行的迷你移動儲存產品幾乎都是以快閃記憶體(flah memory作為儲存介質。快閃記憶體作為一種非揮發性（簡單說就是在不加電的情況下資料也不會丟失，區別於目前常用的計算機記憶體）的半導體儲存晶片，具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優點，是移動數碼產品的理想儲存介質。隨著**的不斷下降以及容量、密度的不斷提高，快閃記憶體開始向通用化的移動儲存產品發展。
快閃記憶體有許多種型別，從結構上分主要有and、nand、nor、dinor等，其中nand和nor是目前最為常見的型別。nor型快閃記憶體是目前大家接觸得最多的快閃記憶體，它在儲存格式和讀寫方式上都與大家常用的記憶體相近，支援隨機讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合儲存程式及相關資料，手機就是它的用武之地。但是nor型的最大缺點就是容量小，intel最近才釋出了採用0.
13μm工藝生產的64mb晶片。與nor型相比，nand型快閃記憶體的優點就是容量大，在去年512mb的晶片就不是稀罕事了。但是，nand型的速度比較慢，因為它的i/o埠只有8個，比nor型的少多了。
區區8個埠需要完成地址和資料的傳輸就得讓這些訊號輪流傳送，很顯然，這種時候序列傳輸比nor型、記憶體等晶片的並行傳輸慢許多。但是，nand型的儲存和傳輸是以頁和塊為單位的（一頁包含若干位元組，若干頁組成塊），相對適合大資料的連續傳輸，這樣也可以部分彌補序列傳輸的不利。因此，nand型快閃記憶體最適合的工作就是儲存大容量的資料，作為電子硬碟、移動儲存介質等使用。
為了在各種裝置上使用，快閃記憶體必須通過各種介面與裝置連線：與電腦連線最常用的介面有usb、pcmcia等；與數碼裝置連線則有專用的介面和外形規範，如cf、**、mmc、sd、memory stick等，其中應用面最廣、擴充套件能力較強的是cf和memory stick。
快閃記憶體卡（flash card）是利用快閃記憶體（flash memory）技術達到儲存電子資訊的儲存器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，***等小型數碼產品中作為儲存介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為快閃記憶體卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，快閃記憶體卡大概有**artmedia（**卡）、***pact flash（cf卡）、**********card（mmc卡）、secure digital（sd卡）、memory stick（記憶棒）、xd-picture card（xd卡）和微硬碟（microdrive）這些快閃記憶體卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。
5樓：匿名使用者
專業點的u盤的叫法，它的
英語名是flash memory 直譯成漢語就是快閃記憶體。
而且就消費品來說，就是nand flash，是一種高階晶片，大容量的只有三星或東芝生產，hynix，st，臺灣的某些廠家現在還只能生產小容量的晶片！
我是三星nand flash的**商！請問哪些領域要用到這些儲存器，最好是具體的物體！！謝謝
6樓：匿名使用者
u盤, ***/mp4, ssd.....
nandflash和norflash的區別
7樓：匿名使用者
nand flash和nor flash的區別如下：
1、開發的公司不同：
nor flash是intel公司2023年開發出了nor flash技術。nor的特點是晶片內執行（xip, execute in place）。
nand flash記憶體是flash記憶體的一種，2023年，東芝公司發表了nand flash結構。其內部採用非線性巨集單元模式，為固態大容量記憶體的實現提供了廉價有效的解決方案。
2、儲存單元關係的不同：
兩種flash具有相同的儲存單元，工作原理也一樣，但nand型flash各儲存單元之間是串聯的，而nor型flash各單元之間是並聯的。為了對全部的儲存單元有效管理，必須對儲存單元進行統一編址。
3、擦除操作的不同：
nand flash執行擦除操作是十分簡單的，而nor flash則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除nor flash時是以64～128kb的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除nand flash是以8～32kb的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。
8樓：灬丶續
一、nand flash和nor flash的效能比較
1、nor的讀速度比nand稍快一些。
2、nand的寫入速度比nor快很多。
3、nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、nand flash和nor flash的介面差別
nor flash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
三、nand flash和nor flash的容量和成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了**。
四、nand flash和nor flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說，flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。
五、nand flash和nor flash的壽命(耐用性)
在nand快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，一個位元位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。
如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃記憶體，nand的**商建議使用nand快閃記憶體的時候，同時使用
七、edc/ecc演算法
這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分佈的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
nand器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於nor的快閃記憶體，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行**。
由於需要i/o介面，nand要複雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。
向nand器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
十、軟體支援
當討論軟體支援的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟**和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括效能優化。
在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援，在nand器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式(mtd)，nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些，許多廠商都提供用於nor器件的更高階軟體，這其中包括m-system的trueffs驅動，該驅動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所採用。
驅動還用於對diskonchip產品進行**和nand快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
請問nand flash和nor flash有什麼不同？
9樓：香料魔法
1、寫入/擦除操作的時間不同
【nand flash】：擦除nand器件以8～32kb的塊進行，執行同一寫入/擦除的操作時間為4ms
【nor flash】：擦除nor器件是以64～128kb的塊進行，執行同一個寫入/擦除操作的時間為5s
2、介面不同
【nand flash】：nand flash使用較為複雜的i/o口來序列地存取資料，並且各個產品或廠商的方法可能各不相同。
【nor flash】：nor flash為sram介面，擁有足夠的地址引腳用於定址。
3、容量成本不同
【nand flash】：nand flash的單元尺寸大約為nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，因此**較低。
【nor flash】：nor flash單元尺寸較大，生產過程也較為複雜，因此**較高。
4、耐用性不同
【nand flash】：nand快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次。
【nor flash】：nor快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是十萬次。
10樓：匿名使用者
1：nor flash隨機傳輸效率比nand flash 高。
原理：norflash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每 一個位元組。nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同 。
8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。
2：nand flash比nor flash更加易於使用。
原理：可以非常直接地使用基於nor的快閃記憶體，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直 接執行**。由於需要i/o介面，nand要複雜得多。
各種nand器件的存取方法因廠家而異。在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。
向nand器件寫 入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞 塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
3：norflash的升級較為麻煩，因為不同容量的norflash的地址線需求不一樣，所以在更換不同容量的norflash晶片時不方便。而不同容量的nandflash的介面是固定的，所以升級簡單。
4：讀操作：nor的讀速度比nand稍快一些。
擴充套件資料
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃記憶體。
許多業內人士也搞不清楚nand快閃記憶體技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的**並且需要多次擦寫，這時nor快閃記憶體更適合一些。
而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
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