1樓：北雁南飛
1、 矽片切割，材料準備：
工業製作矽電池所用的單晶矽材料，一般採用坩鍋直拉法制的太陽級單晶矽棒，原始的形狀為圓柱形，然後切割成方形矽片（或多晶方形矽片），矽片的邊長一般為10~15cm，厚度約200~350um，電阻率約1ω.cm的p型（全球節能環保網摻硼）。
2、 去除損傷層：
矽片在切割過程會產生大量的表面缺陷，這就會產生兩個問題，首先表面的質量較差，另外這些表面缺陷會在電池製造過程中導致碎片增多。因此要將切割損傷層去除，一般採用鹼或酸腐蝕，腐蝕的厚度約10um。
3、 制絨：
制絨，就是把相對光滑的原材料矽片的表面通過酸或鹼腐蝕，使其凸凹不平，變得粗糙，形成漫反射，減少直射到矽片表面的太陽能的損失。對於單晶矽來說一般採用naoh加醇的方法腐蝕，利用單晶矽的各向異性腐蝕，在表面形成無數的金字塔結構，鹼液的溫度約80度，濃度約1~2%，腐蝕時間約15分鐘。對於多晶來說，一般採用酸法腐蝕。
4、 擴散制結：
擴散的目的在於形成pn結。普遍採用磷做n型摻雜。由於固態擴散需要很高的溫度，因此在擴散前矽片表面的潔淨非常重要，要求矽片在制絨後要進行清洗，即用酸來中和矽片表面的鹼殘留和金屬雜質。
5、 邊緣刻蝕、清洗：
擴散過程中，在矽片的周邊表面也形成了擴散層。周邊擴散層使電池的上下電極形成短路環，必須將它除去。周邊上存在任何微小的區域性短路都會使電池並聯電阻下降，以至成為廢品。
目前，工業化生產用等離子幹法腐蝕，在輝光放電條件下通過氟和氧交替對矽作用，去除含有擴散層的周邊。
擴散後清洗的目的是去除擴散過程中形成的磷矽玻璃。
6、 沉積減反射層：
沉積減反射層的目的在於減少表面反射，增加折射率。廣泛使用pecvd澱積sin ,由於pecvd澱積sin時,不光是生長sin作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶矽片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用於大批量生產。
7、 絲網印刷上下電極：
電極的製備是太陽電池製備過程中一個至關重要的步驟，它不僅決定了發射區的結構，而且也決定了電池的串聯電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。最早採用真空蒸鍍或化學電鍍技術，而現在普遍採用絲網印刷法，即通過特殊的印刷機和模版將銀漿鋁漿（銀鋁漿）印刷在太陽電池的正背面，以形成正負電極引線。
8、 共燒形成金屬接觸：
晶體矽太陽電池要通過三次印刷金屬漿料，傳統工藝要用二次燒結才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸，共燒工藝只需一次燒結，同時形成上下電極的歐姆接觸。在太陽電池絲網印刷電極製作中，通常採用鏈式燒結爐進行快速燒結。
9、 電池片測試：
完成的電池片經過測試分檔進行歸類。
2樓：叢冬雁
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