1樓:墳莇簆
在半導體材料矽或鍺晶體中摻入三價元素雜質可構成缺殼粒的p型半導體,摻入五價元素雜質可構成多餘殼粒的n形半導體。 ( 兩種半導體接觸在一起的點或面構成pn結,在接觸點或面上n型半導體多餘殼粒趨向p型半導體,並形成阻擋層或接觸電位差。當p型接正極,n型接負極,n型半導體多餘殼粒和pn結上殼粒易往正移動,且阻擋層變薄接觸電位差變小,即電阻變小,可形成較大電流;反之當p型接負極,n型接正極,因為p半導體缺殼粒,熱運動也難分離出殼粒往正極運動,且阻擋層變厚接觸電位差變大,電阻變大,形成較小電流,即具有單向通過電流屬性。
) 多子與少子是相對概念。 如:在n型半導體中自由電子是多數載流子,簡稱為「多子」;空穴為小數載流子,稱為「少子」。
而在p型中則相反。 ----考試的話,答概念就可以了,具體的作用過程你就不用記了。
2樓:一縷麥香
2分鐘使你真正瞭解半導體,p型半導體與n型半導體詳解,二極體,0基礎學習電子知識,二極體的內部成分,半導體詳細講解
什麼是n型半導體?什麼是p型半導體?它們是怎樣形成的?幫我回答,謝謝。
3樓:我愛學習
一、n型半導體
n型半導體也稱為電子型半導體,即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
形成原理
摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對於鍺、矽類半導體材料,摻雜ⅴ族元素,當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時,可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子,這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加。
二、p型半導體
p型半導體一般指空穴型半導體,是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
形成在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成p型半導體。在p型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故p型半導體呈電中性。
空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。
擴充套件資料
在這類半導體中,參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是n型半導體。例如,含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或矽等半導體。
由於n型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故n型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電效能就越強。
4樓:蹦迪小王子啊
n型半導體:也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成了n型半導體。在n型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。
摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電效能就越強。
p型半導體:也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位子,就形成p型半導體。在p型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。
摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電效能就越強。
擴充套件資料
在純矽中摻入微量3價元素銦或鋁,由於銦或鋁原子周圍有3個價電子,與周圍4價矽原子組成共價結合時缺少一個電子,形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子,在這類半導體的導電中起主要作用。
在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成p型半導體。在p型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故p型半導體呈電中性。
空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。
5樓:諾諾百科
一、n型半導體也稱為電子型半導體,即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
對於鍺、矽類半導體材料,摻雜ⅴ族元素,當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時,可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多餘電子,這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加。
二、p型半導體一般指空穴型半導體,是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
在純淨的矽晶體中摻入三價元素,使之取代晶格中矽原子的位置,就形成p型半導體。
6樓:一縷麥香
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7樓:匿名使用者
一般來說,本徵半導體摻雜3價元素形成p型,空穴為多子,摻雜5價元素形成n型,多子為電子,
什麼是n型半導體,什麼是p型半導體?求答案
8樓:一縷麥香
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9樓:八岐遠呂智
n型半導體也稱為電子型半導體。n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成了n型半導體。在n型半導體中,自由電子為多子,空穴為少子,主要靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。
摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電效能就越強。
p型半導體也稱為空穴型半導體。p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。
在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位子,就形成p型半導體。在p型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。
摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電效能就越強。
p型半導體的p是什麼意思?n型半導體的n是什麼意思?
10樓:飛喵某
p型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體;n型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
p型和n型半導體都屬於雜質半導體,摻雜過程涉及向本徵半導體新增摻雜物原子,從而在達到熱平衡的過程中改變電子和空穴這兩種載流子的分佈。
根據雜質半導體中主要影響力的載流子,可以將半導體分為p型半導體和n型半導體。引入雜質後的半導體是很多電子器件的基礎。
擴充套件資料:
不含雜質的半導體稱為本徵半導體。半導體矽和鍺的最外層電子有四個,故而稱它為四價元素,每一個外層電子稱為價電子。為了處於穩定狀態,單晶矽和單晶鍺中的每個原子的四個價電子都要和相鄰原子的價電子配對,形成所謂的共價鍵。
但是共價鍵中的電子並不像絕緣體中的電子結合的那樣緊,由於能量激發(如光照、溫度變化),一些電子就能掙脫原有的束縛而成為自由電子。
與此同時,某處共價鍵中失去一個電子,相應地就留下一個空位,稱為空穴。自由電子和空穴總是成對出現的。
如果在本徵半導體兩端加以電壓,則會有兩種數量相等的運載電荷的粒子(稱作載流子)產生電流。一種是由自由電子向正極移動,形成的電子電流。
另一種是空穴向負極移動形成的空穴電流,空穴電流的形成好像電影場中,前排座位空著,由後排人逐個往前填補人,人向前運動,空位向後運動一樣。
因此,在半導體中同時存在著電子導電和空穴導電,但由於這兩種載流子數量很少,所以本徵半導體導電能力遠不如金屬中的自由電子。
如果在本徵半導體中摻入少量的雜質,半導體的導電效能將會大大的改善。在純淨的半導體矽(si)中摻入少量的五價磷(p)或三價硼(b)元素,就構成了電子型半導體(簡稱n型半導體)和空穴型半導體(簡稱p型半導體)。
在純淨半導體中摻入原子外層有三個電子的硼元素。硼原子與相鄰矽原子形成共價鍵時,因缺少一個電子耳多一個空穴。如右圖所示每摻入一個硼原子就有一個空穴,這種半導體稱為p型半導體。
在p型半導體中,空穴佔多數,自由電子佔少數,空穴是多數載流子。
同理在純淨的半導體矽中摻入原子外層有五個電子的磷元素,就形成了n型半導體。
11樓:暴走少女
p型半導體的「p」表示正電的意思,取自英文positive的第一個字母。
n型半導體的「n」表示負電的意思,取自英文negative的第一個字母。
半導體中有兩種載流子,即價帶中的空穴和導帶中的電子,以電子導電為主的半導體稱之為n型半導體,與之相對的,以空穴導電為主的半導體稱為p型半導體。
在n型半導體中,參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子,這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是n型半導體。例如,含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或矽等半導體。
由於n型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故n型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電效能就越強。
在p型半導體中,參與導電的 (即電荷載體) 主要是帶正電的空穴,這些空穴來自半導體中的受主。因此凡摻有受主雜質或受主數量多於施主的半導體都是p型半導體。例如,含有適量三價元素硼、銦、鎵等的鍺或矽等半導體就是p型半導體。
由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(空穴)的濃度就越高,導電效能就越強。
12樓:匿名使用者
p型半導體中空穴導電,空穴帶正(positive)電荷;
n型半導體中電子導電,電子帶負(negative)電荷;
led(light emitting diode),發光二極體,是一種固態的半導體器件,它可以直接把電轉化為光。led的心臟是一個半導體的晶片,晶片的一端附在一個支架上,一端是負極,另一端連線電源的正極,使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成,一部分是p型半導體,在它裡面空穴占主導地位,另一端是n型半導體,在這邊主要是電子。
但這兩種半導體連線起來的時候,它們之間就形成一個p-n結。當電流通過導線作用於這個晶片的時候,電子就會被推向p區,在p區裡電子跟空穴複合,然後就會以光子的形式發出能量,這就是led發光的原理。而光的波長也就是光的顏色,是由形成p-n結的材料決定的。
50年前人們已經瞭解半導體材料可產生光線的基本知識,第一個商用二極體產生於2023年。led是英文light emitting diode(發光二極體)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料,置於一個有引線的架子上,然後四周用環氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以led的抗震效能好
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