1樓:匿名使用者
igbt是逆變模組中的一個重抄
要功率元件,除了有igbt外還要有門極觸發電路,控制單元,介面模組,測溫元件,電流互感器,各種排線光纖,銅排,穩壓電容器,箝位電容,充電迴路等等很多其他部分才能組成一個完整的可用的逆變模組。
在igbt的逆變模組上加了一種小型的電路板,問工程師他們說是作為吸收用,具體是吸收什麼?大概作用是啥?
2樓:匿名使用者
在igbt開通關斷的時候會有很大的di/dt,電路雜生電感的存在會產生dv/dt,吸收就是吸收dv/dt。可能模組的雜生電感大吧
3樓:匿名使用者
答:來它一般由電阻自
電容 或者還有快恢復二極體等元件構成,它的作用是吸收igbt在開關狀態下產生的尖峰電壓,以防止igbt被電壓擊穿損壞。
igbt一般耐壓等級有600v 1200v 1800v等,如果電壓的尖峰超過所標稱的額定值,損壞的機率就增大了。
4樓:匿名使用者
應該是阻容吸收,加的電阻和電容
麻煩各位師傅幫我解釋一下這個igbt模組工作原理 5
5樓:半抔清水
一個半橋上模組,上面的三個接線柱分別是左邊接正,中間接地,右邊接輸出。沒輸出可能是igbt本身壞了,但是更可能是igbt驅動出了問題,有示波器的話可以量一下左邊pcb上與igbt相連的四個焊點的波形,上面兩個一組,下面兩個一組。看看是不是波形異常。
6樓:閔君汗夢凡
igbt簡單說就是實現逆變功能,把直流電變成可控的交流電!
igbt是insulatedgatebipolartransistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫,igbt是由mosfet和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為mosfet,輸出極為pnp電晶體,它融和了這兩種器件的優點,既具有mosfet器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介於mosfet與功率電晶體之間,可正常工作於幾十khz頻率範圍內,在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。
誰能幫我理解一下這個電路是怎麼實現逆變的
回答 電路經過兩個三極體和兩個電容，形成一個振盪電路，振盪電路形成交流電，再經過小型交變線圈 變壓器 輸出設定的交流電。這是一個無穩態多諧振盪器。加上電源後，兩個電晶體的工作點會因為不平衡而產生偏差，這種偏差被迴圈放大後使電晶體進入一個導通一個截止的狀態，但是由於電容的充電過程是非線性的，很快這個暫...
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