1樓：匿名使用者
finish-to-start (tt)，把這個任務的開始日期和前提條件任務的結束日期對齊，一般用於序列的任務安排，前一個任務必須完成後才能啟動下一個新任務。
start-to-start (ss)，把這個任務的開始日期和前提條件任務的開始日期對齊，一般用於並行任務的安排，也可以一個任務啟動後，第二個任務延後或提前數日啟動。
finish-to-finish (ff)，把這個任務的結束日期和前提條件任務的結束日期對齊，可以用於協調任務的統一時間完成，這樣可以定義好任務的開始時間
nmos的結構如下：在一塊摻雜濃度較低的p型矽襯底上，製作兩個高摻雜濃度的n+區，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。
然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽(sio2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。在襯底上也引出一個電極b，這就構成了一個n溝道增強型mos管。
2樓：匿名使用者
由於工藝偏差，即使在同一圓片上的晶片，就是不同位置的器件屬性會有所不同，就拿mos管來說（電阻、電容類似)，會有ff、ss、tt、fnsp、snfp情形，表現出來的特性除了閾值電壓不一樣以外，還有其他一些引數會有所不同，詳情可參見spicemodel工藝檔案.foundry提供這些工藝角是因為他們的工藝在製作過程中會有所偏差，所以我們在設計晶片時需要考慮工藝偏差，在設計階段使其在各種工藝角下都能正常工作，這樣才能使最後的晶片可靠。
拉扎維，模擬cmos積體電路設計，中文版，490頁
單一器件所測的結果為正態分佈，均值為tt，最小最大限制值為ss與ff。
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鐳射切割是什麼？鐳射切割的簡介 鐳射切割利用高功率密度鐳射束照射被切割材料，使材料很快被加熱至汽化溫度，蒸發形成孔洞，隨著光束對材料的移動，孔洞連續形成寬度很窄的切縫，完成對材料的切割。鐳射束聚焦成很小的光點，使焦點處達到很高的功率密度。這時光束輸入的熱量遠遠超過被材料反射 傳導或擴散的部分，材料很...
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上面說的就都書本上的概念，其實實際生產中，拉延是指先拉後切邊，有壓邊圈，板料充分流動，不易產生皺褶，拉延後後幾序翻邊衝孔等，用於大的覆蓋件，而成形是指先切邊後拉的工藝，先根據零件形狀計算，然後落料，在進行拉深，這樣優點在於省料，但易出現皺褶，一般用於料比較厚的支架或表面要求不高的件。應該叫拉深或者拉...
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高階定製在服bai裝工藝單中屬於 定du制 的分類,相zhi對的有 大貨 dao的分類。服裝分內類很多,有容加工,有經銷的,工藝單也隨著而不同。就象人有男女之分 有老中少之分 有健康人與病人之分,有中國人和外國人之分等等。看從哪種角度看。服裝有 之分。有商務禮儀 休閒裝之分 有高階禮服之分 有定製之...