1樓：帳號已登出
碳基半導體材料，其實就是將電晶體的溝道由矽變成了碳奈米管，被稱為碳奈米電晶體。
先說說電晶體哪些引數比較重要：1、器件尺寸，器件尺寸越小，密度越高。2、載流子遷移率（材料）、飽和電流，決定器件的驅動能力和晶片速度。
3、漏電流，決定靜態功耗。4、閾值電壓，決定工作電壓和功耗。5、良品率。
對應於上面引數，碳奈米管能在哪些方向超越矽哪？1、碳奈米管理論上比矽適合做小尺寸器件，矽尺寸縮小要和短溝道效應抗爭，還涉及一定的trade 碳奈米管理論上載流子遷移率遠高於矽，但是碳奈米管實測電流還沒有到可以和矽競爭的水平（最近彭老師的nature應該已經比較接近了），因為碳奈米管是1維材料，是一根一根線，矽是體材料，是整個反型層導電，導致只有碳奈米管密度達到一定閾值才能超過矽。
3、漏電流，碳奈米管漏電流算一個硬傷，因為在製備半導體性碳奈米管的同時，會得到一定量的金屬性碳奈米管，這些碳奈米管是沒有柵控能力，常開的。4、閾值電壓，矽和碳奈米管的閾值電壓都主要和柵金屬選擇有關，談不上優勢。5、良品率，由於金屬性碳奈米管，良品率大概率沒矽那麼高。
（可以預期未來的水平）
綜上，碳奈米管只對矽存在理論優勢，而半導體工業換材料是非常困難的，換柵氧都爭論了很久，更別說換更重要的溝道材料，而且工藝差距還很大。只要碳奈米管對矽沒有絕對優勢，未來還會是矽的天下。
碳奈米管為了取代矽，以可以預見的未來是很難的，需要完成：1、材料技術，可以獲得高密度，高均一性，低金屬性碳奈米管含量的半導體性碳奈米管薄膜。2、電路設計技術，如果金屬性碳奈米管不可避免，如何在電路設計時趨利避害。
3、推進5nm以下工藝，因為矽能做5nm，公司很難再投資5nm碳奈米管，所以碳奈米管整合密度必須超過5nm finfet。
所以，我不看好碳奈米管取代矽，或者在高效能積體電路領域（cpu、dsp等）取代矽，但是還存在一些矽很弱勢的領域，碳奈米電晶體電路還是大有可為的，例如整合射頻電路（碳奈米電晶體的高載流子遷移率帶來的優秀射頻特性）、三維整合（推薦看看max shulaker的工作，碳奈米管系統的神仙）、柔性整合系統（碳奈米管tfts）。
2樓：萬物靜觀皆自得
(1) 什麼是 setup和 hold 時間？
答： setup/hold time 用於測試晶片對輸入訊號和時鐘訊號之間的時間要求。建立時間 (setup time)是指觸發器的時鐘訊號上升沿到來以前，資料能夠保持穩 定不變的時間。
輸入資料訊號應提前時鐘上升沿 (如上升沿有效)t 時間到達晶片，這個 t就是建立時間通常所說的 setuptime。如不滿足 setup time，這個資料就不能被這一時鐘打入觸發器，只有在下一個時鐘上升沿到來時，資料才能被打入 觸發器。保持時間(hold time)是指觸發器的時鐘訊號上升沿到來以後，資料保持穩定不變的時間。
如果 hold time 不夠，資料同樣不能被打入觸發器。
(2) 什麼是競爭與冒險現象？怎樣判斷？如何消除？
答：在組合邏輯電路中，由於閘電路的輸入訊號經過的通路不盡相同，所產生的延時也就會不同，從而導致到達該門的時間不一致，我們把這種現象叫做競爭。由於競爭而在電路輸出端可能產生尖峰脈衝或毛刺的現象叫冒險。
如果布林式中有相反的訊號則可能產生競爭和冒險現象。解決方法：一是新增布林式的消去項，二是在晶片外部加電容。
(3) 請畫出用 d 觸發器實現 2 倍分頻的邏輯電路。
答：把 d 觸發器的輸出端加非門接到 d 端即可，如下圖所示：
(4) 什麼是"線與 "邏輯，要實現它，在硬體特性上有什麼具體要求？
答：線與邏輯是兩個或多個輸出訊號相連可以實現與的功能。在硬體上，要用 oc 門來實現( 漏極或者集電極開路 )，為了防止因灌電流過大而燒壞 oc 門， 應在 oc門輸出端接一上拉電阻 (線或則是下拉電阻)。
(5) 什麼是同步邏輯和非同步邏輯？同步電路與非同步電路有何區別？
答： 同步邏輯是時鐘之間有固定的因果關係。非同步邏輯是各時鐘之間沒有固定的因果關係 .
電路設計可分類為同步電路設計和非同步電路設計。 同步電路利用時鐘脈衝使其子系統同步運作 ，而非同步電路不使用時鐘脈衝做同步，其子系統是使用特殊的 「開始」和「完成」訊號使之同步。非同步電路具有下列優點：
無時鐘歪斜問題、低電源消耗、平均效能而非最差效能、模組性、可組合和可複用性。
(7) 你知道那些常用邏輯電平？ ttl 與 coms 電平可以直接互連嗎？
答：常用的電平標準，低速的有 rs232、r
試說明mosfet的柵源電壓大於閾值電壓時器件產生了什麼物理現象
3樓：匿名使用者
例如，對於耗盡型n-mosfet，在柵電壓為0時即存在電子導電的溝道，就是線性導通狀態；只有加上一定的柵極電壓（負電壓）後才能使溝道消失（整個溝道夾斷），這時的柵電壓稱為」夾斷電壓」vp，也就是耗盡型fet的閾值電壓，當「源漏電壓vds≥夾斷電壓vp減去柵源電壓vgs」時，溝道即在靠近漏極處被夾斷，電晶體就進入飽和導通狀態，輸出電流最大、並飽和，同時跨導也最高——放大工作區。 值得注意，fet在飽和狀態時溝道的夾斷與沒有溝道是兩回事。溝道在漏端被夾斷後，並不是不能導電，因為夾斷區實際上就是一個存在電場的耗盡區，只要載流子（多數載流子）一到達耗盡區邊緣，就立即被電場掃到集電極而輸出電流。
所以，溝道在一端被夾斷後的導電效能將更好（導電性決定於未被夾斷的部分溝道），這與完全沒有溝道的截止狀態完全不同。 對於jfet，其線性導通和飽和導通的情況與mosfet的相同。
mos管的過驅動電壓及閾值電壓是多少？
4樓：念憶
閾值電壓受襯偏效應的影響，即襯底偏置電位，零點五微米工藝水平下一階mos spice模型的標準閾值電壓為 pmos負 ，過驅動電壓為vgs減vth。
mos管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經歷一個 si 表面電子濃度等於空穴濃度的狀態。此時器 件處於臨界導通狀態，器件的柵電壓定義為閾值電壓，mosfet的重要引數之一 。
mos管的閾值電壓等於背柵和源極接在一起時形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小於閾值電壓，就沒有溝道。
5樓：匿名使用者
正常驅動10-15，不要超過20v。
開啟的閾值電壓4-5v。
關斷最好有-5到-10v，或者保持低阻。
典型mos管的閾值電壓是多少
6樓：匿名使用者
300k時，一般n管左右，p管1v左右。
我用的是耐壓5v的，90nm和的工藝我還沒用過，對它們的閾值電壓還不瞭解。
當mos管的柵源電壓低於閾值電壓時,mos管會完全關斷嗎？
7樓：網友
不會完全關斷，在閾值電壓附近，電阻斜坡式增加。
為什麼mos管的源極與襯底極都是連著的
8樓：匿名使用者
以nmos為例：
當nmos直接做bai在dup型襯底zhi上時，為了防止襯底與源dao漏的pn結正偏導通，襯底要接回最低電位，對答單個mos而言，襯底和源可以直接相連；但如果是在積體電路里面，所有mos管的襯底都接了最低電位，但源端可能不是接最低電位，這時源和襯底就是不連一起的，這時就會出現襯偏效應，導致閾值電壓飄移，變得比襯源相連時更大，所以其實我們是希望襯源相連的，只是有時候沒法這麼做。
在現在雙阱cmos工藝中，nmos做在p型阱裡面，阱就相當於nmos的襯底，由於阱與阱之間是隔離的，所以電位可以不相同，這時，所有nmos的襯源就可以直接相接了。
9樓：何啟卓
1、防止有電流copy從襯底流向流向源極和導電溝道bai，這裡是防du止襯底與源極的pn結導通zhi，導通了的話，dao就會有電流從襯底的低摻雜的p型矽片流向源極的高摻雜n+區。
2、將襯底與源極相連線，兩者的電位就相同了，沒有正向壓降，兩者間的pn結就不會導通，從而就不會有電流流過pn結。
3、也可以不連線襯底與源極，但是要保證襯—源之間電壓u（bs）使襯—源之間pn結反向偏置。這樣也不會有電流從襯底經過pn結流向源極。
你自己再把書仔仔細細看看，這問題問老師，估計會捱罵。
電晶體如何做為有源負載
10樓：匿名使用者
採用電晶體有源負載，對於解決積體電路中的大電阻問題具有重要意義。
幾種mosfet有源負載： (考慮n-mosfet)① 恆流源負載（柵極接固定偏壓vb）: 只要vb大於閾值電壓→具有電流飽和特性→輸出交流電阻很高(基本上與電壓無關，主要決定於溝長調製效應和襯偏效應); 並且能夠保持g-s電壓不變→特性穩定。
② 增強型mos二極體（柵極與漏極連線）: 具有類似p-n結二極體的恆壓伏安特性曲線 →交流電阻與電壓有關(電壓vds越低，電阻越大);而且在id=0時vds=vt,輸出電阻=∞,即vds不可能降低到0,存在一個最低電壓vt.
③ 耗盡型mos二極體（柵極與源極連線）: 具有一般mosfet的飽和伏安特性 →交流電阻很高(基本上與電壓無關，主要決定於溝長調製效應和襯偏效應); 而且能夠保持g-s電壓不變→特性穩定。
淨水器水龍頭有兩個閥門,一個寫純水,一個寫淨水 這倆有什麼區別
11樓：吃炸串的巨蟹
（1）純水是經過比較細緻過濾的誰，淨水的話只是經過了淨水器的初步濾芯過濾，並沒有達到很高的過濾級別。
（2）純水經過了淨水器所有的過濾裝置，可以直接飲用。而淨水只是經過前幾個濾芯初步過濾的水，只是過濾掉了一些細小的雜質，但是可以用來洗菜等。
12樓：匿名使用者
純水和淨水的區別在於純水沒有礦物質，而淨水含有礦物質
區別點一：純水沒有礦物質而淨水有礦物質。
純水指的是不含雜質的h₂o，既純水中不含其它雜質，只有水的成分；而淨水中其他物質的含量豐富，除了一些有益礦物質，還有很多微量元素。
區別點二：製作工藝不一樣。
在高純水的生產過程中，水中的陰、陽離子可用電滲析法、反滲透法及離子交換樹脂技術等去除；水中的顆粒一般可用超過濾、膜過濾等技術去除；水中的細菌，目前國內多采用加藥或紫外燈照射或臭氧殺菌的方法去除；水中的toc則一般用活性炭、反滲透處理。
純淨水的工藝嚴苛，特別是反滲透技術是當今最先進、最節能有效的膜分離技術。最初用於海水淡化，其孔徑非常微小，僅為10-10，它能分離溶液中離子範圍和分子量幾百的有機物，去除水中的溶解的鹽類、膠體、微生物、有機物等，從而獲得純淨的、安全的水。
13樓：健康生活派
你這個是雙出水淨水器，純水是經過所有濾芯過濾的，包括ro膜，是去除所有有害物質的可以直飲的水，淨水是只經過前幾個濾芯初步過濾的，用來洗菜做飯的水。喝純水，用淨水。
健康飲水派。
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