1樓:可可粉醬
e=q/(4πεbair²),r≥r。
在距離球du心r處做高斯球面zhi,球面上的電通量為(4/3πdaor³×δ)/ε,
內因為場強容均勻分佈,所以場強的大小直接再除以面積4πr²即可。
需要分別求出球內外電勢分佈,第一種先求出場強分佈,根據du=edr,積分求電勢。第二種根據電勢疊加原理,如果是球外,直接看做球心處的點電荷,如果是球內,需要將球分成兩部分,內部的一部分產生的電勢解法同上,外部的則需積分。
2樓:om樂觀怪獸
對於真空中的帶電體和靜電場中的帶電體是不一樣的。如果是真空中的帶電體,在應用高斯定理(即樓上的**中的求法),或者利用電勢疊加原理即可求得;如果是靜電場中的帶電體,則是樓上所說的等勢體情況
3樓:風雅之量
球是一個等勢體,內部電勢一致。不可能是上面那個人說的那樣。符號我不知道電腦上面怎麼打。自己想想就知道嘛。
一均勻帶電球面半徑為r,帶有電量q,求球面內外的場強分佈。
4樓:假面
e=q/4πε
bair^2 ,r>r,以球心為中du心,做個半徑小zhi於r的球面作為高dao斯面,因為高斯面內的內淨電荷容為零,所以球面內的場強處處為零。
在電場中某一點,試探點電荷(正電荷)在該點所受電場力與其所帶電荷的比值是一個與試探點電荷無關的量。於是以試探點電荷(正電荷)在該點所受電場力的方向為電場方向。
電場中某一點的電場強度的方向可用試探點電荷(正電荷)在該點所受電場力的電場方向來確定;電場強弱可由試探電荷所受的力與試探點電荷帶電量的比值確定。
5樓:匿名使用者
由高斯定理,以球心為中心,做個半徑小於r的球面作為高斯面,因為高斯面內的淨電荷為版零,所以球面內的權場強處處為零。
同理,以球心為中心,做個半徑大於r的球面作為高斯面,高斯面內的淨電荷為q,球面外場強為e=q/4πεr^2 ,r>r
即球面外的電場,等價於電荷量為q的一個點電荷位於球心產生的電場。
6樓:匿名使用者
這是高中物理的知識 建議你當面向物理老師請教一下
真空中半徑為r,電量為q的均勻帶電球體的電場和電勢的分佈
7樓:非常可愛
e=q/(
抄4πεr²),r≥bair。
在距bai離球心r處做高斯球du面,球面上的電通量為(4/3πzhir³×δ)/daoε,因為場強均勻分佈,所以場強的大小直接再除以面積4πr²即可。
需要分別求出球內外電勢分佈,第一種先求出場強分佈,根據du=edr,積分求電勢。第二種根據電勢疊加原理,如果是球外,直接看做球心處的點電荷,如果是球內,需要將球分成兩部分,內部的一部分產生的電勢解法同上,外部的則需積分。
擴充套件資料
電勢原理:
帶電量q的電荷由電場中某點a移到參考點o(即零勢能點,一般取無限遠處或者大地為這個零勢能點),電場力做功wao(將這個電荷從a點移至零勢能點電場力做的功)跟這個電荷的電量q比值叫(ao兩點電勢差)a點電勢,
無論被選取的物體是不是帶電,都可以被選取為標準位置-------零參考點。例如地球本身是帶負電的,其電勢相對於無窮遠處約為8.2×10^8v。儘管如此,照樣可以把地球作為零電勢參考點,同時由於地球本身就是一個大導體,電容量很大,所以在這樣的大導體上增減一些電荷,對它的電勢改變影響不大。
8樓:微波技術與天線
用高斯定理做就可以
球面的話r小於等於r時場為零,因為球面內部沒有電荷分佈,而球體的話如果是均勻帶電球體內部是有場分佈的
試求半徑為R,電荷面密度為,的無限長均勻帶電圓柱面的電場強度
解答很清楚啊,直接用高斯定理就是 圓柱面內淨電荷為零所以內部電場強度為零 圓柱外取一個圖示的高斯面,包圍的電荷為長度為l的圓柱面上的電荷,根據電荷面密度乘以面積等於電荷量,再用高斯定理就得到結果了。感謝題主。題主自帶詳解太棒了 可以問下題主的書是哪本嗎.感覺解答很詳細.想買一本.同為電磁學所困擾 解...
大學物理電磁學求半徑為R,帶電荷量為Q的均勻帶電球體電場的能量 是W QU還是W
都不是,而且你寫的第二個,根本不是電場能,而是場能密度。半徑為r,帶電量為q的均勻帶電球體,求帶電球體的場強和電勢分佈?e q 4 bair r r。在距離球du心r處做高斯球面zhi,球面上的電通量為 4 3 daor 內因為場強容均勻分佈,所以場強的大小直接再除以面積4 r 即可。需要分別求出球...
一半徑為R的無限長均勻帶電半圓柱面,電荷面密度為,求軸線上任意點的電場強度
任意點的電場強度 de r d 2 0 r d 2 0 e de sin 0,2 0 sin d 0 電場強度是放入電場中某點的電荷所受靜電力f跟它的電荷量比值,定義式e f q 適用於一切電場 其中f為電場對試探電荷的作用力,q為試探電荷的電荷量。單位n c。擴充套件資料 實驗表明,在電場中某一點...